Một số yếu tố ảnh hưởng đến hàm lượng hạt ceo2 và cuo trong lớp mạ tổ hợp Ni-CeO2-CuO trên lá thép không gỉ 430 bằng kỹ thuật mạ dòng xung - Mai Văn Phước

Nghiên cứu khoa học công nghệ Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 57, 10 - 2018 129 MỘT SỐ YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG ĐẾN HÀM LƯỢNG HẠT CeO2 VÀ CuO TRONG LỚP MẠ TỔ HỢP Ni-CeO2-CuO TRÊN LÁ THÉP KHÔNG GỈ 430 BẰNG KỸ THUẬT MẠ DÒNG XUNG Mai Văn Phước1*, Nguyễn Đức Hùng2 Tóm tắt: Lớp mạ tổ hợp Ni-CeO2-CuO có thể được tạo thành từ dung dịch niken sun phát với các hạt oxit CeO2, CuO kích thước nanomet phân tán trong dung dịch bằng kỹ thuật mạ dòng xung vuông có đảo chiều. Một số thông số của mạ xung như: mật độ dòng xung trung bình itb, tỷ lệ thời gian phân cực anôt/thời gian phân cực catôt (), tỷ lệ mật độ dòng anôt/mật độ dòng catôt (), ảnh hưởng của hàm lượng hạt CeO2 và CuO trong dung dịch đã ảnh hưởng đến hàm lượng các hạt CeO2 và CuO trong lớp mạ tổ hợp. Kết quả khảo sát cho thấy, ở chế độ mật độ dòng xung trung bình itb =4 A/dm 2,  = 0,2,  = 0,2, f= 100 Hz, hàm lượng hạt trong dung dịch CeO2 5g/L, CuO 5 g/L sẽ thu được lớp mạ tổ hợp Ni-CeO2-CuO có hàm lượng các hạt CeO2 và CuO trong lớp mạ lớn nhất đạt 37,69 %. Từ khóa: Mạ tổ hợp; Mạ xung; CeO2-CuO; Lá thép mạ. 1. MỞ ĐẦU Kỹ thuật mạ thường sử dụng dòng một chiều, song những thập niên gần đây nhiều đơn vị cũng đã nghiên cứu áp dụng kỹ thuật mạ dòng xung. Có nhiều dạng xung được sử dụng trong kỹ thuật điện hóa như xung tam giác, xung răng cưa, xung vuông bậc thang, xung xoay chiều hình sin liên tục hoặc gián đoạn, đối xứng hoặc bất đối xứng, không có đảo chiều hoặc có đảo chiều. Tuy nhiên, có hai dạng xung thường được sử dụng rộng rãi đối với quá trình mạ điện phân là xung vuông thường hoặc xung vuông có đảo chiều (pulse reserve). Kỹ thật mạ xung sẽ mang lại các lợi thế so với kỹ thuật mạ dòng một chiều là [1-3]: - Có thể giảm chiều dày lớp khuếch tán nên làm tăng dòng giới hạn khuếch tán cho phép mạ được ở mật độ dòng lớn hơn, do vậy làm tăng được tốc độ mạ; - Dòng xung có 1/2 chu kỳ không mạ, thậm chí bề mặt chi tiết bị hòa tan làm quá trình kết tinh lớp mạ có cấu trúc chặt chẽ hơn nên lớp mạ bằng dòng xung có cơ tính tốt hơn so với mạ dòng một chiều; Trong kỹ thuật mạ tổ hợp với các hạt phân tán trong dung dịch điện ly thì mạ bằng dòng xung có sự thay đổi chiều dày lớp khuếch tán tác động tích cực đến sự vận chuyển các hạt phân tán đến bề mặt điện cực cũng như quá trình hấp phụ, kết dính và chôn lấp các hạt bằng dòng mạ [4]. Sơ đồ dạng xung vuông có đảo chiều và các thông số xung được trình bày trong hình 1 [1]. Hình 1. Sơ đồ dạng xung vuông có đảo chiều. T: Độ rộng của xung (thời gian tồn tại của xung catot); T’: Khoảng cách giữa hai xung (thời gian nghỉ hoặc thời gian tồn tại của xung anot); : Độ dài của chu kỳ xung; ic: Mật độ dòng catôt; ia: Mật độ dòng anôt. Hóa học & Kỹ thuật môi trường M. V. Phước, N. Đ. Hùng, “Một số yếu tố ảnh hưởng bằng kỹ thuật mạ dòng xung.” 130 Khi xung vuông đảo chiều có tác dụng san bằng bề mặt lớp mạ do ở nửa chu kỳ đầu catôt được kết tủa kim loại, nửa chu kỳ tiếp theo catôt bị đảo thành anôt, sự hòa tan xảy ra, những chỗ mạ gai, cây bị hoà tan mạnh hơn làm bằng phẳng lớp mạ. Ngược lại anôt ở nửa chu kỳ đầu xảy ra quá trình hòa tan, nửa chu kỳ tiếp theo anôt bị đảo thành catôt do đó tránh được hiện tượng thụ động anôt. Các thông số chính quá trình mạ xung vuông có đảo chiều là tỷ lệ giữa mật độ dòng anôt và catôt β = ia/ik; tỷ lệ thời gian xung và thời gian nghỉ: α = T'/T; tần số của dòng xung f =1/θ; mật độ dòng trung bình: ' (1 . ) 1 1 1 c a c tb c i T i T i i i                     (1) 2. THỰC NGHIỆM Catot để tạo lớp mạ tổ hợp Ni-CeO2-CuO là tấm thép không gỉ mác 430 có kích thước: (20  40  0,2) mm được tẩy sạch dầu mỡ trong dung dịch kiềm và hoạt hóa bề mặt trong dung HCl 10 %, sau đó tạo lớp mạ niken cấy chân trong dung dịch có thành phần NiCl2 250 g/L, HCl (d= 1,19) 200 mL/L, mạ ở chế độ mật độ dòng ik = 5 A/dm 2, thời gian mạ 2 phút, nhiệt độ 25÷ 30oC. Sau khi tạo lớp mạ niken cấy chân, lớp mạ tổ hợp trên nền thép 430 được chế tạo bằng quá trình mạ điện phân từ dung dịch mạ niken sun phát có thành phần NiSO4 300 g/L, H3BO3 30 g/L, natrilaurylsunphat 0,1 g/L, nồng độ hạt CeO2 (2 ÷ 16) g/L, CuO (2 ÷ 16) g/L. Sử dụng các hạt CeO2 và CuO có kích thước nano mét (50 ÷100) nm, hạt CeO2 được mua của hãng Richest Goup Ltd, hạt CuO được mua của hãng Nano Global, Thượng Hải, Trung Quốc. Các hạt CeO2, CuO được phân tán đều trong dung dịch bằng quá trình siêu âm trước khi mạ 2 giờ sau đó khuấy trộn liên tục trong dung dịch mạ bằng máy khuấy từ. Nhiệt độ dung dịch trong quá trình điện phân là 50 oC, pH dung dịch được duy trì từ 5,8 ÷ 6,0, thời gian mạ 20 phút. Lớp mạ tổ hợp Ni-CeO2-CuO trên nền thép 430 được chế tạo bởi quá trình mạ dòng xung, bằng thiết bị tạo nguồn xung vạn năng tại Viện Hóa học - Vật liệu, với các thông số mật độ dòng xung trung bình itb = (2 ÷ 6) A/dm 2, tỷ lệ giữa mật độ dòng anôt và mật độ dòng catôt  = 0,1 ÷ 0,4; tỷ lệ thời gian phân cực anôt/thời gian phân cực catôt α = 0,1 ÷ 0,4; tần số f =100 Hz. Hình thái cấu trúc bề mặt và sự phân bố của các hạt nano oxit trên lớp mạ được xác định bằng phương pháp chụp ảnh hiển vi điện tử quét SEM. Hàm lượng hạt CeO2 và CuO trên bề mặt lớp mạ được xác định qua phổ tán xạ năng lượng EDX trên thiết bị JMS 6610LV- JED2300, JEOL, Nhật Bản tại Viện Hóa học - Vật liệu, Viện Khoa học và Công nghệ Quân sự. 3. KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM VÀ THẢO LUẬN 3.1. Ảnh hưởng của mật độ dòng xung trung bình Thực hiện chế độ mạ xung ở các mật độ dòng trung bình itb = 2; 4; 6 A/dm 2; β = 0,2; α = 0,2; f = 100 Hz, hàm lượng hạt CeO2 và CuO trong dung dịch bằng 10 g/L. Kết quả phân tích EDX thành phần hạt CeO2 và CuO trên bề mặt lớp mạ được thể hiện trong bảng 1. Bảng 1. Tổng hàm lượng CeO2 và CuO trên lớp mạ (% khối lượng) của các mẫu mạ Ni-CeO2-CuO ở mật độ dòng xung trung bình khác nhau. Thông số Mật độ dòng xung (A/dm2) ic ia itb ic ia itb ic ia itb α = β = 0,2 2,5 0,5 2,0 5,0 1,0 4,0 7,5 1,5 6,0 Hàm lượng hạt 25,46 37,69 32,18 Nghiên c Tạp chí Nghi 2 A/dm lượng CeO này có th đồng thời l rắn CeO lớp mạ cao. Ở mật độ d lại giảm đi. Nguy trong khi h hơn đ khi m CuO vào l mặt catôt không đổi. Ni α = 0,2, β = 0,2, f = 100 Hz trong th các m hợp với các kết quả phần tích EDX khi thay đổi mật độ d đồng đều ở các mật độ d ph 4 A/dm 3.2. K Ảnh SEM thể hiện sự phân bố của các hạt Ce -CeO T ần ch Ảnh h ết quả từ bảng 1 cho thấy với kỹ thuật mạ d 2 ẩy các hạt ra khỏi điện cực tr ật độ d 2 ẫu n itb ừ ảnh SEM (h 2 Hình 3. ứu khoa học công nghệ tổng h ể giải thích khi mật độ d ư 2 và CuO đư ạt gắn bám ít, khí H ớp mạ không tăng do sự khuếch tán của CeO -CuO t ày có s = 2 A/dm ưa b các h ư ên c 2 và CuO trên l ợng khí H òng ạt tr ởng của h ứu KH&CN àm lư đi ạo bởi d ự phân bố khác nhau của các hạt CeO Hình 2. ị chôn v Ảnh h ên nhân do ện tăng, tốc độ khử ion Ni 2 ình 2) cho th ên ợng hạt trong lớp mạ đạt 28,46 %. Khi i 2 ợc chôn lấp v bề mặt lớp mạ có kích th àm lư ư đ sinh ra òng cao h Ảnh SEM của các mẫu mạ tổ hợp Ni ở các mật độ d òng. Các h ùi nhô ra kh ởng của tổng h ến tổng h quân s ớp mạ tăng l òng xung ợng hạt CeO ở catôt do sự khử ion H ở mật độ d 2 ự, Số à bám t ơn, i được giải phóng bởi sự khử ion H ư ấy sự phân bố các hạt rắn tr àm lư òng tb ớc khi chúng đ ời gian mạ 20 phút đ ạt CeO ợng CeO 57 ên đ đủ lớn th ốt v = 6 A/dm ở mật độ d itb = 4 A/dm òng trung bình khác nhau ỏi nền Ni. Ở mật độ d àm lư , 10 òng trung bình l 2 2 và CuO trong dung d ợng hạt CeO - 20 ạt giá trị lớn nhất bằng 37,69 %. Hiện t ào đi 2+ tăng lên nhưng t và CuO đư ước v 2 18 òng xung ì l ện cực, dẫn đến h 2 O và CuO trên l ượng Ni thoát ra tr , hàm lư ược chôn lấp bởi kim l 2 và CuO trên b 2 à phân b + trong dung d 2 và CuO t òng trung bình 2, 4, 6 A/dm ư 2 và ở mật độ d ợng hạt rắn tr ớn h ợc thể hiện trong h CuO trên b òng trung bình. ợc chôn v ố đồng đều nhất. 2 và CuO trong dung d tb -CeO ên b ớp mạ tăng t ơn, niken gi ốc độ chôn v ừ trong dung dịch đến bề . ừ l àm lư + và H ề mặt của các mẫu mạ 2-CuO ề mặt lớp mạ t ùi vào l òng xung trung bình ịch . òng xung trung bình ên 4 A/dm ên đi ịch thoát ra ít, các hạt ề mặt lớp mạ v itb ợng hạt nano tr ên b 2O thoát ra nhi oại mạ. H = 6 A/dm ện cực nhiều, ề m ải phóng nhiều ùi h ình 2 cho th ớp mạ, có một ạt CeO ịch 2 thì hàm ặt lớp mạ ơn n 2 ương đ 131 ượng 2 à phù ên ều ữa, và 2, ấy ối 132 dụng dung dịch mạ tổng (2 ÷ 16) g/L (t vòng/phút, nhi lượng CeO (hình 4) cho th ch = 0,2; hạt đ hàm lư hơn, có xu hư ba giai đo trò quan tr quá trình giảm 1/2 so với khi l hàm lư trên l chôn l catot th dòng cao làm gi 3.3. 20 phút, hàm lư trị Các m Hình 3 th ụp th Từ kết quả tr Ảnh h Ti  thay đ ành ph  ược chôn v ợng hạt từ 6 đến 12 g/L tổng h lớn nhất bằng 37,69 %. H ợng hạt trong dung dịch dẫn tới tăng l ớp mạ tăng l ấp các hạt v ực tế tăng cao, khí hydro thoát ra nhiều đẩy các hạt ra, t ến hành m M. ẫu mạ đ = 0,2; f= 100 Hz khi t ớng giảm xuống đạt 18,47 %. Theo c ạn [5], trong đó giai đoạn III ọng nhất. Khi tăng h đ ư ổ V. Phư ể hiện kết quả phân tích h 2 và CuO trong dung d ần. 4 g/L 10 g/L ảo chiều d ởng của tỷ lệ mật độ d i t ỷ lệ khối l ệt độ dung dịch mạ 50 ấy sự phân bố của các hạt rắn tr Hình 4. ên hình 4 nh ùi vào l ảm h ạ ợ ừ 0,1÷ 0,4. ớc, N. Đ. H ược chế tạo ên. Khi hàm lư ì b các m ng h òng à catot thoát hydro làm tăng kh ề mặt Ni bị che lấp nhiều, diện tích bề mặt giảm, m àm lư ạt CeO hàm lư ượng giữa hai hạt x/y = 1), thời gian mạ 20 phút, tốc độ khuấy 600 Ảnh SEM của các mẫu mạ tổ hợp Ni ở các h ớp mạ thấp, h ẫu ận thấy khi mạ bằng d điện, bề mặt vật mạ trở th ợng hạt trong lớp mạ. ở ch 2 ùng ở chế độ mạ xung: i ợng các hạt CeO v àm lư ổng h àm lư àm lư ế 5 g/L; CuO 5 g/L; t , “M ợng hạt trong dung dịch tăng quá cao sẽ cản trở khả năng độ ột số yếu tố ảnh h oC. àm lư ợng hạt khác nhau trong dịch àm lư ợng hạt từ 14 đến 16 g/L h ợng hạt trong dung dịch, kỹ thuật mạ d òng anôt/m xung: i ịch. àm lư àm lư - sự chôn lấp các hạt bằng kim loại kết tủa đóng v ợng CeO K 6 g/L 12 g/L ợng hạt trong dung dịch từ 2 đến 4 g/L th tb ết quả chụp ảnh SEM bề mặt lớp mạ ợng các hạt trong lớp mạ nhỏ. Khi tăng tổng ợng các hạt rắn trong lớp mạ đạt giá trị cao ơ ch ư = 4 A/dm tb à CuO trong dung d ên b ợng hạt l ật độ d ố = 4 A/dm 2 ề mặt lớp mạ t òng xung ế của quá tr ả năng hấp phụ hạt l c đ ưởng và CuO trê ành anôt có s òng catôt 2; ộ ên b  = 0,2; f = 100 Hz; th khu Hóa h b 2; α = 0,2; β = 0,2; f = 100 s -CeO ở chế độ mạ ề mặt do vậy h ấy 600 vòng/phút; v ằng n l àm lư ình t ương t ọc & Kỹ thuật môi tr kỹ thuật mạ d ớp mạ khi thay đổi h ương 2-CuO . ạo lớp mạ tổ hợp gồm ự thoát oxy với l ịch x + y thay đổi từ ợng hạt trong lớp mạ ự nh ứng với kết quả 8 g/L 16 g/L i ên b ật độ d tb = 4 A/dm òng xung có ề mặt àm lư ư m òng xun ạ ở mật độ ờ ớ . S ợng hạt òng i gian m i các giá ường 2 ì các ượng ự tăng đi g.” ử àm ;  ai ện ạ Nghiên c Tạp chí Nghi tỷ Tuy nhiên, s 0,4) vì khi đế thấ Kho lượ bề ở giá tr 3.4. tổ hợp Ni = 4 A/dm khu trị Bả lệ  β 0,1 0,2 0,3 0,4 Ở n lớ y, khi m ả ng CeO Hình 5. Ảnh SEM bề mặt lớp mạ tr mặ Ảnh h Để nghi ấy 600 v Kết quả phân tích EDX h  khác nhau  0,1 0,2 0,3 0,4 ng 2 trình bày k khác nh kho p m ng giá tr t lớ ị ứu khoa học công nghệ B  0,2 0,2 0,2 0,2 ảng giá tr ạ 2 Ảnh chụp SEM bề mặt lớp mạ ở p m β = 0,4. ư -CeO 2; β = 0,2; f = 100 Hz; th B β 0,2 0,2 0,2 0,2 ên c ảng 2. i ự đó m giả ạ v và CuO trên l ạ ởng của tỷ lệ thời gian phân cực anôt/thời gian ph ên c òng/phút; giá tr ảng 3. i ứu KH&CN au. c (A/dm 4,9 5,0 5,1 5,2 chôn vùi các h ậ m do khí thoát ra nhi ới thông s ị ph khá đ ứu ảnh h 2-CuO, các m đư c (A/dm 4,5 5,0 5,5 6,0 T ị t độ ù h β = 0,2 ợc thể hiện trong bảng 3. T ết phân tích EDX thành ph ổng h 2) của dòng i ợp c ồng đ ổng h 2) i  ố ớ ề ưởng của thông số àm lư i quân s àm lư a (A/dm 0,49 1,00 1,53 2,08 từ 0,1 ÷ 0,2 c  ≥ ủa p m u, đ ẫu mạ đ ị  àm lư a (A/dm ợng hạt CeO ạt vào l sẽ 0,3 l  = 0,1 ÷ 0,2, trong thí nghi ạ ên hình 5 cho th ồng th thay đ ợng 0,9 1 1,1 1,2 ự, Số 2) cao hơn, t cao nh ợng hạt CeO 2) i ớ ều đ ớp m ờ ược thực hiện mạ ở chế độ mật độ d ời gian mạ 20 phút; nhiệt độ dung dịch 50 ổi từ 0,1 ÷ 0,4. hạt CeO i 57 tb (A/dm lượ p m ẩy các h ạ ất b i có m tb (A/dm , 10 4 4 4 4 ng h ạ ốc đ nh ằng β = 0,2, v  4 4 4 4 - 20 2 và CuO trên l 2 ạ sẽ ộ ẵn ph 37,69 %. ấy, ở giá trị ật đ tới h 2 và CuO trên l 2 18 ần các h ) t đư khó khăn hơn khi tăng kế ạt ra kh ộ h àm lư 2 và CuO trên l ) Tổng h ợc chôn vùi vào l t tủ ẳng do kh à ạt l Tổng h ạ a niken tăng lên trong khi lư ỏ β = 0,4 ớn hơn nhi ợng hạt CeO t CeO àm lư i b ệ β = 0,2 c àm lư ớp mạ ở các tỷ lệ ề m ả m này giá tr ớp mạ ở các tỷ lệ 2 và CuO trên l ợng hạt tr ặt, hi năng chôn l β = 0,4 độ phóng đại 10.000 lần ề ân c ớp mạ khi thay đổi các giá ợng hạt tr 34,51 37,69 28,62 13,04 ệ ác h u so v 35,48 37,69 24,16 12,63 ớp m  u su ạ ực catôt 2 và CuO trên l ên l ạ lên cao n ất s ấ ị  t ôxit phân b ới b òng trung bình i ên l  ớp mạ (%) đạ ẽ p các h = 0,2 vì hàm ề  ớp mạ (%) ớp m khác nhau t giá tr giả mặ o khác nhau ạ ữ ợ m. ạ t m C; t 133 ở ị l a ( ng h Nh t kém. ố trên ẫu m ớp mạ ốc độ các . ớn. = ạt ận . ạ tb . 134 lượng của các hạt CeO trị thu của lên đ tăng, t chuy ch mậ không đư lượng CeO EDX b duy trì m xung nên làm tăng hàm lư dung d g/L, hàm lư trên n 0,2; và CuO trên l trên b [1 [2 [3 Từ kết quả tr  ật xung vuông có đảo chiều, khi mật độ d  ển đến bề mặt điện cực giảm, dẫn đến h Hình 6 th ế độ phóng đại 10.000 lần. Ở giá trị t đ Dòng xung vuông có β ]. 1987, 40 ]. Denny Thiemig, Ronny Lange & Andreas Bund, " parameters on the electrocodeposition of matrix metal nanocomposites" Electrochimica Acta 52 (25), 2007, pp. 7362 ]. M. Sajjadnejad, H. Omidvar, M. Javanbakht, A. Mozafari, Nickel Coatings Fabricated under Pulse Current Conditions" and Scientific Research & Innovation Vol 9, No 8, 2015. lên 0,4 thì hàm l đồng nghĩa với việc tăng d ẩy các hạt ra nhiều h ốc độ kết tủa kim loại tăng, l Hình 6. ộ h ề mặt lớp mạ. ịch hệ sun phát có th ền thép 430. = 0,2; f = 100 Hz; CuO 5 g/L; CeO ề mặt lớp mạ. Nguy M. ạt l ợc chôn lấp bị cuốn ra khỏi bề mặt vật mạ dẫn đến sự phân bố th ật độ hạt ở khu vực catôt, đồng thời l ễn Đức H V. Phư ể hiện sự phân bố của các hạt rắn tr Ảnh SEM bề mặt của mẫu mạ Ni  ớn hơn 2 và CuO trên l ợng các hạt CeO ớp mạ cao nhất đạt 37,69,% khối l - ên b = 0,2 41. ớc, N. Đ. H  , khi Lớp mạ tổ hợp Ni ảng 3 nhận thấy khi tăng giá trị của 2 ư = 0,2 các h ùng , và CuO đ ợng các hạt giảm mạnh c  đ ơn nên s ạt ôxit phân b = 0,4 ớp mạ giảm mạnh, điều n ảo chiều có tác dụng l ợng hạt tr ành ph 2 "M ùng 5 g/L, CuO 5 g/L đ TÀI LI ạ kim loạ , “M ạt giá trị lớn nhất òng i ố hạt bị chôn v ở chu kỳ anôt thời gian h ần NiSO ột số yếu tố ảnh h ượng n 4. ên l -CeO c ở chu kỳ mạ l ố K 2 ỆU THAM KHẢO i b iken k àm lư trên b ẾT LUẬN ớp mạ tổ hợp. Bằng kỹ thuật mạ d 4 300 g/L, H 2-CuO đư 5 g/L, th ằng d òng xu -CeO òn 12,63 %. ết tủa nhiều h ợng hạt tr ên b ề m àm gi àm gi ã t ượng, các hạt oxit phân bố khá đồng đều òng -7371. 37,69 % ng trung bình không ùi vào l ề mặt lớp mạ khi thay đổi giá trị 2- ặt l ày phù h ạo đ ợc tạo ra ở điều kiện i ời gian mạ 20 phút, có h đi ưởng ượng hyđro sinh ra tr CuO ớ ảm chiều d ảm sự thoát khí ở thời gian đảo của 3BO ện xung"  ớp mạ sẽ ít đi. H ên l ở các giá trị p m òa tan kim lo 3 ược lớp mạ tổ hợp Ni Hóa h b từ 0,1 đến 0,4 th tại giá trị ạ khá đ ợp với các kết quả phân tích 30 g/L, natrilaurylsunphat 0,1 Influence of pulse plating ằng Đi ơn, trong khi các h ớp mạ giảm. , T "Characterization of Pure ọc & Kỹ thuật môi tr kỹ thuật mạ d ều n  = 0, ồ ày l ạp chí KHKTQĐ, Số 6, , International Scholarly  ày là do đ  ng đ ớp khuếch tán, giữ = 0,2, khi tăng giá đ 4 khác nhau ề ại d tb ổi, tăng giá trị ên b ơn n u, đ ài hơn, các h ưa hơn và hàm = 4 A/dm àm lư òng xun ì t ề mặt tăng ồng th òng xung -CeO ợng CeO ổng h ối với kỹ ữa, ạt đ ường khi ư  . ời có 2-CuO 2, g.” àm  ợc ở ạt từ α = 2 , Nghiên cứu khoa học công nghệ Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 57, 10 - 2018 135 [4]. M.E. Bahrololoom, R. Sani, "The influence of pulse plating parameters on the hardness and wear resistance of nickel - alumina composite coatings", Surface & Coatings Technology (192), 2005, pp. 154 - 163. [5]. Low C.T.J., Wills R.G.A., Walsh F.C., "Electrodeposition of composite coatings containing nanoparticles in a metal deposit", Surface & Coatings Technology 201, 2006, pp. 371-383. ABSTRACT STUDY OF INFLUENCING FACTORS ONE COMPOSITION OF CeO2 AND CuO IN Ni-CeO2-CuO COMPOSITE PLATING ON THE 430 STEEL BY USING PULSE LPATING The Ni-CeO2-CuO plating layer can be fabricated from the solution of nickel sulphate containing CuO2, CuO nanoparticles dispersed in solution by reversed square-wave electroplating. The influence of pulse plating parameters including average pulse current density itb, polarization time anode / polarization time (), anode current density / cathode current density () , the content of CeO2 and CuO in the solution the influence of on the content of CeO2 and CuO in the composite coating were investigated in detail. The results show that the pulse current density mode of 4 A / dm2,  = 0.2,  = 0.2, f = 100 Hz, particle content of CeO2 5g/L and CuO 5 g/L will achieve the Ni-CeO2-CuO composite coating with the highest content of CeO2 and CuO in 37.69%. Keywords: Ni electroplating composite; Pulse plating; CeO2-CuO; Steel plating. Nhận bài ngày 30 tháng 8 năm 2018 Hoàn thiện ngày 20 tháng 9 năm 2018 Chấp nhận đăng ngày 11 tháng 10 năm 2018 Địa chỉ: 1 Viện Hóa học - Vật liệu, Viện Khoa học và Công nghệ quân sự; 2 Viện Công nghệ Môi trường, VAST, 18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội. * Email: maivanphuoc_bk@yahoo.com.