Kiến trúc máy tính - Chương 5: Bộ nhớ trong

+ Chương 5 Bộ nhớ trong 1 + 5.1 Bộ nhớ chính bán dẫn Tổ chức DRAM và SRAM Các loại ROM Logic Chip Đóng gói Tổ chức Module Bộ nhớ xen kẽ 5.2 Sửa lỗi 5.3 Tổ chức DRAM cải tiến DRAM đồng bộ Rambus DRAM DDR SDRAM Cache DRAM NỘI DUNG 2 + Hoạt động của ô nhớ 3 + Hoạt động của ô nhớ  Ô nhớ là phần tử nhớ được 1 bit thông tin  Tính chất ô nhớ  hai trạng thái ổn định  Có thể ghi/đọc ô nhớ  Các tín hiệu  Tín hiệu select - chọn 1 ô nhớ  Tín hiệu control -chỉ định đọc hoặc ghi  Dữ liệu  Data in: đặt trạng thái ô nhớ  Sense: dữ liệu đầu ra 4 Các loại bộ nhớ bán dẫn Table 5.1 Semiconductor Memory Types Kiểu bộ nhớ Loại Xoá Cơ chế ghi Volatility Random-access memory (RAM) Read-write memory Electrically, byte-level Electrically Volatile Read-only memory (ROM) Read-only memory Not possible Masks Nonvolatile Programmable ROM (PROM) Electrically Erasable PROM (EPROM) Read-mostly memory UV light, chip- level Electrically Erasable PROM (EEPROM) Electrically, byte-level Flash memory Electrically, block-level 5 + RAM động - Dynamic RAM (DRAM)  2 loại công nghệ RAM :  RAM động - Dynamic RAM (DRAM)  RAM tĩnh - Static RAM (SRAM)  DRAM  Có nhiều ô nhớ lưu trữ dữ liệu bằng điện tích trong tụ điện  Có điện tích trên tụ - bit 1  Không có điện tích trên tụ - bit 0  Cần phải nạp điện định kỳ để duy trì lưu trữ dữ liệu  “Động” được hiểu là xu hướng điện tích trên tụ rò rỉ ngay cả khi luôn được cấp điện 6 Cấu trúc & hoạt động của DRAM Dòng địa chỉ được kích hoạt khi bit được đọc /ghi (Transistor đóng) Ghi: - Điện áp được đặt vào đường bit: điện áp cao cho bit 1, thấp cho bit 0 - 1 tín hiệu được đặt vào dòng địa chỉ  truyền dòng nạp vào tụ điện Đọc: - Dòng địa chỉ được chọn, transistor đóng - Điện tích trên tụ điện được đưa qua bit line tới bộ khuếch đại cảm biến  so sánh điện áp tụ với giá trị tham chiếu để xác định 1 hay 0 - Tụ phải được nạp lại 7 8 RAM tĩnh (SRAM)  Thiết bị số sử dụng các thành phần logic tương tự trong BXL  Các giá trị nhị phân được lưu trữ trong các cổng logic flip-flop truyền thống.  Bit lưu dưới dạng công tắc on/off  Vẫn giữ dữ liệu chừng nào còn có nguồn điện cấp cho nó  Không cần refreshing  Cache Cấu trúc & hoạt động SRAM • 4 transistor được kết nối để tạo ra trạng thái logic ổn định. • Trạng thái 1: - C1 cao, C2 thấp - T1 và T4 tắt, T2 và T3 bật. • Trạng thái 0: - C1 thấp, C2 cao - T1 và T4 bật, T2 và T3 tắt. • Dòng địa chỉ điều khiển T5, T6 • Ghi - giá trị mong muốn đặt vào B, phần bù của nó đặt vào B. • Đọc - giá trị được đọc từ dòng B. 10 So sánh SRAM và DRAM  Đều khả biến  Phải cấp nguồn điện liên tục để duy trì giá trị bit  Động  Dễ dàng chế tạo, kích thước nhỏ hơn  Mật độ lớn hơn (ô nhớ nhỏ hơn  nhiều ô nhớ hơn/đơn vị S)  Giá thành rẻ hơn  Đòi hỏi hệ mạch refresh hỗ trợ  Thích hợp với các yêu cầu bộ nhớ lớn  Sử dụng cho bộ nhớ chính  Tĩnh  Nhanh hơn  Không cần hệ mạch refresh  sử dụng trong cache (cả trong và ngoài chip) + Bộ nhớ chỉ đọc (ROM)  Chứa 1 mẫu dữ liệu cố định, không thể thay đổi hay thêm vào  Không cần cấp nguồn điện để duy trì giá trị bit trong bộ nhớ  Dữ liệu hay chương trình lưu trữ vĩnh cửu trong bộ nhớ chính; không cần phải tải từ thiết bị lưu trữ thứ hai  Dữ liệu được nạp vào chip như một phần của quy trình sản xuất chip.  Nhược điểm của điều này:  Không có chỗ cho lỗi, nếu sai 1 bit thì toàn bộ lô ROM phải vứt đi  Việc nạp dữ liệu vào ROM tốn một khoản chi phí cố định khá lớn 11 + ROM lập trình được - PROM Phương án ít tốn kém hơn  bất biến và chỉ có thể ghi một lần duy nhất Quá trình ghi được thực hiện bằng điện, có thể do nhà cung cấp hoặc khách hàng thực hiện tại thời điểm sau thời điểm sản xuất chip Cần có thiết bị đặc biệt để thực hiện quá trình ghi  Linh hoạt và tiện lợi  Thích hợp với sản xuất một số lượng lớn 12 Bộ nhớ chỉ đọc EPROM Bộ nhớ PROM có thể xóa được Quá trình xóa có thể thực hiện nhiều lần Đắt hơn so PROM nhưng có ưu điểm do khả năng cập nhật lại EEPROM Bộ nhớ PROM xóa bằng điện Có thể ghi vào bất cứ thời điểm nào mà không cần phải xóa dữ liệu trước đó Kết hợp ưu điểm của sự bất biến và sự linh hoạt của việc cập nhật tại chỗ Đắt hơn so với EPROM Flash Memory Trung gian giữa EPROM và EEPROM Sử dụng cộng nghệ xóa điện, không cho phép xóa cấp độ byte Microchip được tổ chức sao cho mỗi đoạn (section) của bộ nhớ được xóa rất nhanh - “flash” 13 + Tổ chức chip nhớ  Đường địa chỉ A0 An-1  2 n ô nhớ  Đường dữ liệu D0 Dm-1  độ dài ô nhớ là m bit  Dung lượng nhớ = 2n x m  Đường điều khiển:  Tín hiệu chọn chip CS (chip select)  Tín hiệu điều khiển đọc RD/ OE  Tín hiệu điều khiển ghi WR/W𝐸 14 Bộ nhớ 16 Mb DRAM (4M x 4) n 15 Đóng gói chip 16 Tổ chức bộ nhớ 256-KByte 17 • Bộ nhớ gồm nhiều chip • Tổ chức hệ thống chip 1 bit • 8 chip 256K x 1 bit Tổ chức module 1MByte 18 + Bộ nhớ xen kẽ  Bao gồm một tập hợp các chip DRAM  Một số chip được nhóm lại thành một memory bank  Mỗi bank có thể độc lập phục vụ một yêu cầu đọc, ghi bộ nhớ  K bank có thể phục vụ K yêu cầu đồng thời  tốc độ đọc, ghi bộ nhớ tăng lên K lần  Nếu các từ liên tiếp của bộ nhớ được lưu trữ ở các bank khác nhau, việc truyền một khối của bộ nhớ sẽ được tăng tốc 19 Sửa lỗi  Lỗi cứng  Lỗi vật lý vĩnh viễn  Một hoặc nhiều ô nhớ không thể lưu trữ dữ liệu chính xác, bị kẹt ở giá trị 0 hoặc 1 hoặc chuyển đổi thất thường giữa 0 và 1  Nguyên nhân:  Do tác động của môi trường khắc nghiệt  Lỗi sản xuất  Do hao mòn dần  Lỗi mềm  Sự kiện ngẫu nhiên, làm thay đổi nội dung của một hay nhiều ô nhớ  Không làm hỏng bộ nhớ  Nguyên nhân:  vấn đề về nguồn điện  Ảnh hưởng của các hạt phóng xạ 20 Chức năng mã sửa lỗi 21 + Mã sửa lỗi Hamming + Phát triển mã sửa lỗi 8 bit Độ dài mã sửa lỗi bao nhiêu là đủ? XOR(Kbefore, Kafter) = syndrome bit Syndrome bit = 0  không có lỗi Syndrome bit = 1  có lỗi Syndrome word dài K bit, giá trị 0 2K-1 Điều kiện để sửa lỗi đơn: 2K-1 ≥ M+K 23 + So sánh hiệu suất DRAM Alternatives Bảng 5.3 So sánh hiệu suất của một số DRAM Alternatives 24 + Bố cục các bit dữ liệu và các bit kiểm tra 25 Tính toán bit kiểm tra 26 + Mã Hamming SEC-DED 27 + Tổ chức DRAM tiên tiến  Một trong những nút nghẽn hệ thống nghiêm trọng nhất khi sử dụng các VXL tốc độ cao chính là giao diện với bộ nhớ chính  Chip DRAM truyền thống bị hạn chế bởi cả kiến trúc bên trong và giao diện của nó tới bus bộ nhớ của bộ xử lý.  Một số cải tiến kiến trúc DRAM cơ bản: Bảng 5.3 Performance Comparison of Some DRAM Alternatives SDRAM RDRAM DDR-DRAM 28 SDRAM - DRAM đồng bộ Một trong những loại DRAM được sử dụng nhiều nhất Việc trao đổi dữ liệu với bộ xử lý được đồng bộ với tín hiệu đồng hồ bên ngoài và chạy ở tốc độ tối đa của VXL/ bus bộ nhớ mà không thiết lập trạng thái đợi (wait state) Với việc truy xuất đồng bộ, DRAM chuyển dữ liệu vào và ra dưới sự điều khiển của đồng hồ hệ thống • Bộ xử lý và bộ điều khiển khác đưa ra lệnh và thông tin địa chỉ được lưu trữ trong DRAM • DRAM trả lời sau một số chu kỳ xung nhịp. • Trong lúc đó bộ điều khiển có thể thực hiện các task khác một cách an toàn trong khi SDRAM đang xử lý 29 SD R A M 30 + Quy ước chân SDRAM Table 5.4 SDRAM Pin Assignments 31 + Tổng kết SDRAM  Truy cập được đồng bộ với đồng hồ bên ngoài  Địa chỉ được gửi tới RAM  RAM tìm kiếm dữ liệu (CPU phải đợi ở DRAM thông thường)  Do SDRAM di chuyển dữ liệu theo thời gian đồng hồ hệ thống, CPU biết khi nào dữ liệu sẽ sẵn sàng  CPU không phải chờ đợi, nó có thể làm việc khác  Chế độ Burst cho phép SDRAM thiết lập luồng dữ liệu và truyền theo khối  Thanh ghi mode là tính năng quan trọng phân biệt SDRAMs với các DRAM thông thường.  DDR-SDRAM gửi dữ liệu hai lần mỗi chu kỳ đồng hồ 32 + Định thời đọc SDRAM 33 RDRAM  Phát triển bởi Rambus  Được Intel chấp nhận cho bộ vi xử lý Pentium và Itanium  Trở thành đối thủ cạnh tranh chính của SDRAM  Các chip được đóng gói theo chiều dọc với tất cả các chân ở 1 mặt  Trao đổi dữ liệu với bộ vi xử lý qua 28 dây, không dài quá 12 cm  Bus có thể đáp ứng được 320 chip RDRAM và thiết lập tốc độ 1.6 GBps  Bus chuyển thông tin địa chỉ và điều khiển sử dụng giao thức hướng khối không đồng bộ  Lấy yêu cầu bộ nhớ qua bus tốc độ cao  Yêu cầu chứa thông tin địa chỉ, kiểu xử lý và số lượng byte để xử lý 34 + Cấu trúc RDRAM 35 + SDRAM tốc độ dữ liệu gấp đôi – DDR SDRAM SDRAM chỉ có thể gửi dữ liệu một lần trong một chu kỳ xung nhịp bus DDR SDRAM có thể gửi dữ liệu hai lần trong một chu kỳ xung nhịp, một ở sườn lên của xung, một ở sườn xuống Được phát triển bởi JEDEC Solid State Technology Association 36 Định thời đọc DDR SDRAM + Cache DRAM (CDRAM)  Được phát triển bởi Mitsubishi  Tích hợp một bộ nhớ cache SRAM vào một chip DRAM chung  SRAM trong CDRAM có thể được sử dụng theo hai cách:  Có thể sử dụng như một bộ nhớ cache thực sự bao gồm một số line 64 bit  Chế độ cache của CDRAM hiệu quả với việc truy cập ngẫu nhiên bộ nhớ  Có thể được sử dụng như một bộ đệm để hỗ trợ truy cập nối tiếp vào một khối dữ liệu 38 + Tổng kết  Bộ nhớ bán dẫn  Tổ chức  DRAM và SRAM  Các loại ROM  Chip logic  Đóng gói chip  Tổ chức module  Interleaved memory  Sửa lỗi  Lỗi cứng  Lỗi mềm  Mã Hamming  Tổ chức DRAM cải tiến  Synchronous DRAM  Rambus DRAM  DDR SDRAM  Cache DRAM Chương 5 Bộ nhớ trong 39 + Câu hỏi chương 5 5.1 Ô nhớ là gì? Các đặc điểm chính của ô nhớ bán dẫn là gì? 5.2 Hai trạng thái 0 và 1 được thể hiện như thế nào trong DRAM? 5.3 Khác biệt giữa DRAM và SRAM là gì? 5.4 So sánh DRAM và SRAM về các đặc tính như tốc độ, kích cỡ ô nhớ và chi phí? 5.5 Kể 1 vài ứng dụng của ROM? 5.6 Phân biệt EPROM, EEPROM và bộ nhớ flash? 5.7 Giải thích chức năng của mỗi chân trong Hình đóng gói chip. 5.8 Bit chẵn lẻ là gì? 5.9 Syndrome trong mã Hamming là gì? 5.10 Điểm khác biệt giữa SDRAM và DRAM thông thường? 40