Tài liệu Giáo trình Mạch điện tử: Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 1
MỘT SỐ BÀI TẬP MẪU CHO QUYỂN
“Giáo trình mạch điện tử I”
Chương I: DIODE BÁN DẪN.
I. Diode bán dẫn thông thường:
1) Vẽ dạng sóng chỉnh lưu: (Bài 1-1 trang 29)
Công thức tổng quát tính VL:
L
Li
DS
L RRR
VV
V
+
−
=
VD = 0,7V (Si) và VD = 0,2V (Ge)
a- Vẽ VL(t) với VS(t) dạng sóng vuông có biên độ 10 và 1V
Kết quả với giả thiết: Ri = 1Ω, RL = 9Ω, VD = 0,7V.
Vì Diode chỉnh lưu chỉ dẫn điện theo một chiều nên:
∗ Trong 0T
2
1
> , Diode dẫn → iD ≠ 0 → iL ≠ 0 → VL ≠ 0.
V37,89
91
7,010V 1L =+
−
= và V27,09
91
7,01V 2L =+
−
=
∗ Trong 0T
2
1
< , Diode tắt → iD = 0 → iL = 0 → VL = 0.
iL
iD
RL
Ri
VL Vs
+
-
- + VD
10
-10
0 1 - -
+ +
VS
2 3 4 t(ms)
1
-1
0 1 - -
+ +
VS
2 3 4 t(ms)
8,37
0 1
VL1
2 3 4 t(ms)
0,27
0 1
VL2
2 3 4 t(ms)
Khoa Điện - Điện tử Viễn tho...
40 trang |
Chia sẻ: haohao | Lượt xem: 1693 | Lượt tải: 0
Bạn đang xem trước 20 trang mẫu tài liệu Giáo trình Mạch điện tử, để tải tài liệu gốc về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 1
MỘT SỐ BÀI TẬP MẪU CHO QUYỂN
“Giáo trình mạch điện tử I”
Chương I: DIODE BÁN DẪN.
I. Diode bán dẫn thông thường:
1) Vẽ dạng sóng chỉnh lưu: (Bài 1-1 trang 29)
Công thức tổng quát tính VL:
L
Li
DS
L RRR
VV
V
+
−
=
VD = 0,7V (Si) và VD = 0,2V (Ge)
a- Vẽ VL(t) với VS(t) dạng sóng vuông có biên độ 10 và 1V
Kết quả với giả thiết: Ri = 1Ω, RL = 9Ω, VD = 0,7V.
Vì Diode chỉnh lưu chỉ dẫn điện theo một chiều nên:
∗ Trong 0T
2
1
> , Diode dẫn → iD ≠ 0 → iL ≠ 0 → VL ≠ 0.
V37,89
91
7,010V 1L =+
−
= và V27,09
91
7,01V 2L =+
−
=
∗ Trong 0T
2
1
< , Diode tắt → iD = 0 → iL = 0 → VL = 0.
iL
iD
RL
Ri
VL Vs
+
-
- + VD
10
-10
0 1 - -
+ +
VS
2 3 4 t(ms)
1
-1
0 1 - -
+ +
VS
2 3 4 t(ms)
8,37
0 1
VL1
2 3 4 t(ms)
0,27
0 1
VL2
2 3 4 t(ms)
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 2
b- Vẽ VL(t) với VS(t) dạng sóng sin có biên độ 10 và 1V.
∗ Khi VS = 10sinωot nghĩa là VSm = 10V >> VD =0,7V ta có:
99
91
10R
RR
VV L
Li
Sm
1L =+
≈
+
≈
tsin9V 01L ω≈
(Ta giải thích theo 0T
2
1
> và 0T
2
1
< )
∗ Khi VS = 1sinω0t nghĩa là VSm = 1V so sánh được với 0,7V:
+ VS > 0,7V, Diode dẫn, iD ≠ 0, iL ≠ 0, VL ≠ 0.
6,0tsin9,09
91
7,0tsin1
V 0
0
2L −ω=
+
−ω
=
Tại sinω0t = 1, |VL2| = 0,27V.
+ VS < 0,7V, Diode tắt, iD = 0, iL = 0, VL = 0.
Với dạng sóng tam giác ta có kết quả tương tự như sóng sin.
2) Bài 1-3: Để có các kết quả rõ ràng ta cho thêm các giá trị điện trở: R1 =
1KΩ, Rb = 10KΩ, RL = 9KΩ.
a- Vẽ VL(t) với dạng sóng vuông có biên độ 10V và 1 V.
∗ 0T
2
1
> , Diode dẫn, RthD ≈ 0, dòng iL chảy qua Ri, D, RL nên ta có:
V37,810.9.
10.910
7,010R
RR
VV
V 333L
Li
DS
1L =
+
−
=
+
−
=
V27,010.9.
10.910
7,01R
RR
VV
V 333L
Li
DS
2L =
+
−
=
+
−
=
iL
RL
9K
Ri=1K
VL Vs
+
-
- + VD
Rb=10K
10
0
-10
9
- -
+ +
1
2 3
4 t(ms)
VS
VL1
0 1 2 3 4 t(ms)
1
0
-1
1
2 3
4 t(ms)
VS
VL2
0 1 2 3 4 t(ms)
0,7
0,27
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 3
∗ 0T
2
1
< , Diode tắt, Rng = ∞, dòng iL chảy qua Ri, Rb, RL nên ta có.
V5,410.9.
10.91010
10R
RRR
V
V 3343L
Lbi
S
1L =
++
=
++
=
V45,010.9.
10.91010
1R
RRR
V
V 3343L
Lbi
S
1L =
++
=
++
=
b- Vẽ VL(t) với dạng sóng sin có biên độ 10V và 1 V.
∗ Để đơn giản khi VSm = 10V (>>VD = 0,7V) ta bỏ qua VD. Khi đó:
+ 0T
2
1
> , Diode dẫn, RthD ≈ 0, dòng iL chảy qua Ri, D, RL nên ta
có:
)V(tsin910.9.
10.910
tsin10R
RR
VV 0
3
33
0
L
Li
S
1L ω=+
ω
=
+
=
+ 0T
2
1
< , Diode tắt, Rng = ∞, dòng iL chảy qua Ri, Rb, RL nên ta có.
)V(tsin5,410.9.
10.91010
tsin10
R
RRR
V
V 0
3
343
0
L
Lbi
S
1L ω=
++
ω
=
++
=
∗ Khi VS = 1sinω0t so sánh được với VD ta sẽ có:
+ 0T
2
1
> , khi VSm ≥ 0,7, Diode dẫn, RthD ≈ 0, dòng iL chảy qua Ri,
D, RL nên ta có:
)V(63,0tsin9,010.9.
10.910
7,0tsin1
R
RR
7,0tsin1
V 0
3
33
0
L
Li
0
2L −ω=
+
−ω
=
+
−ω
=
Tại
2
t0
pi
=ω , sinω0t = 1, ta có VL2m = 0,9 - 0,63 = 0,27V
+ 0T
2
1
> , khi VSm < 0,7, Diode tắt, RngD = ∞, dòng iL chảy qua Ri,
Rb, RL nên ta có:
10
-10
0 1 - -
+ +
VS
2 3 4 t(ms)
1
-1
0 1 - -
+ +
VS
2 3 4 t(ms)
8,37
0 1
VL1
2 3 4
t(ms)
0,27
0 1
VL2
2 3 4 t(ms) -4,5
-0,45
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 4
tsin315,010.9.
10.91010
tsin7,0
R
RRR
tsin7,0
V 0
3
343
0
L
Lbi
0
2L ω=
++
ω
=
++
ω
=
+ 0T
2
1
< , Diode tắt, Rng = ∞, dòng iL chảy qua Ri, Rb, RL nên ta có.
tsin45,010.9.
10.91010
tsin1
R
RRR
tsin1
V 0
3
343
0
L
Lbi
0
2L ω=
++
ω
=
++
ω
=
2) Dạng mạch Thevenin áp dụng nguyên lý chồng chập:
Bài 1-20 với Vi(t) = 10sinω0t
a- Vẽ mạch Thevenin:
Áp dụng nguyên lý xếp chồng đối với hai nguồn điện áp VDC và Vi:
∗ Khi chỉ có VDC, còn Vi = 0 thì điện áp giữa hai điểm A-K:
V3
10.5,110
10.5,15
rR
r
VV 33
3
ii
i
DCAK =
+
=
+
=
∗ Khi chỉ có Vi, còn VDC = 0 thì điện áp giữa hai điểm A-K là:
)V(tsin4
10.5,110
10tsin.10
rR
RVV 033
3
0
ii
i
iAK ω=+
ω=
+
=
VL
+
-
Vi
+
-
iD
RL
1,4K
Ri=1K
VDC=5v
K A
ri=1,5K
RT id
VT
K
A
RL
Ri//ri iL
VT
K A
10
0
-10
9
- -
+ +
t(ms)
VS
VL1
t(ms)
1
0
-1
t(ms)
VS
VL2
t(ms)
0,7
0,315
+ +
- - -4,5 -4,5
0,585
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 5
∗ Vậy khi tác động đồng thời cả VDC và Vi thì sức điện động tương
đương Thevenin giữa hai điểm A-K là:
)V(tsin43
rR
RV
rR
rVV 0
ii
i
i
ii
i
DCT ω+=+
+
+
=
∗ Điện trở tương đương Thevenin chính là điện trở tương đương của
phần mạch khi Diode hở mạch là:
Ω=+
+
=+
+
= K210.4,1
10.5,110
10.5,1.10R
rR
r.R
R 333
33
L
ii
ii
T
b- Vẽ đường tải DC khi
2
,
3
,
2
,
3
,0t0
pi
−
pi
−
pipi
=ω .
∗ Tại V3V0t T0 =⇒=ω
∗ Tại )V(46,6
2
343V
3
t T0 =+=⇒
pi
=ω
∗ Tại )V(71.43V
2
t T0 =+=⇒
pi
=ω
∗ Tại )V(46,0
2
343V
3
t T0 −=−=⇒
pi
−=ω
∗ Tại )V(11.43V
2
t T0 −=−=⇒
pi
−=ω
Theo định luật Ohm cho toàn mạch ta có.
T
T
D
TT
DT
R
V
V.
R
1
R
VV
i +−=
−
=
∗ Tại )mA(15,1
10.2
37,0.
10.2
1i0t 330 =+−=⇒=ω
∗ Tại )mA(88,2
10.2
46,67,0.
10.2
1i
3
t 330 =+−=⇒
pi
=ω
iD (mA)
3,15
2,88
1,15
3 6,46 7
-1
VT
t
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 6
∗ Tại )mA(15,3
10.2
77,0.
10.2
1i
2
t 330 =+−=⇒
pi
=ω
∗ Tại )mA(58,0
10.2
46,07,0.
10.2
1i
3
t 330 −=−−=⇒
pi
−=ω
∗ Tại )mA(85,0
10.2
17,0.
10.2
1i
2
t 330 −=−−=⇒
pi
−=ω
c- Vẽ
( )
( ) )V(tsin8,21,2tsin437,0V7,0
10.2
V10.4,1
Rr//R
VR
R
V.Ri.R)t(V
00T
3
T3
Lii
T
L
T
T
LDLL
ω+=ω+==
=
+
===
II. Diode Zenner:
1) Dạng dòng IL = const (bài 1-40); 200mA ≤ IZ ≤ 2A, rZ = 0
a- Tìm Ri để VL = 18V = const.
Imin = IZmin + IL = 0,2 + 1 = 1,2 A.
Imax = IZmax + IL = 1 + 2 = 3 A.
Mặt khác ta có: Vimin = 22V = IZmin.Ri + VZ.
Suy ra:
Ω==−=−= 3,3
2,1
4
2,1
1822
I
VVR
minZ
Zmini
i
Vimax = 28V = IZmaxRi + VZ
Suy ra
Ω==−=−= 3,3
3
10
3
1828
I
VV
R
maxZ
Zmaxi
i
Vậy Ri = 3,3Ω.
b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Diode Zenner:
PZmzx = IZmax.VZ = 2.18 = 36W.
VL
0
-0,7
2,1
4,9V
t
RL=18Ω VZ=18v 22v<VDC<28v
Ri IZ
VL
IL
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 7
2) Dạng dòng IL ≠ const: (bài 1-41), 10mA ≤ IL ≤ 85mA.
IZmin = 15mA.
a- Tính giá trị lớn nhất của Ri
maxLminZ
Zi
i
minLmaxZ
Zi
II
VV
R
II
VV
+
−
≤≤
+
−
∗ Khi VDC = 13V ta có
Ω=
+
−≤ 30
085,0015,0
1013R maxi
∗ Khi VDC = 16V ta có
Ω=
+
−≤ 60
085,0015,0
1016R maxi
Vậy ta lấy Rimax = 30Ω.
b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Diode Zenner.
PZmax = IZmax.VZ.
Mặt khác: Vimax = IZmaxRi + VZ
⇒ mA200
30
1016
R
VVI
i
Zmaxi
max =
−
=
−
=
⇒ mA19019,001,02,0III minLmaxmaxz ==−=−=
⇒ W9,11019,0P maxz =×=
3) Dạng IZ ≠ const; IL ≠ const (Bài 1-42)
30 ≤ IL ≤ 50mA, IZmin = 10mA.
rZ = 10Ω khi IZ = 30mA; Pzmax =800mW.
a- Tìm Ri để Diode ổn định liên tục:
mA80
10
8,0
V
P
I
Z
maxZ
maxZ ===
Vậy 10mA ≤ IZ ≤ 80mA
Ta có: Imin = IZmin + ILmax = 60mA
Imax = IZmax + ILmin = 110mA
RL VZ=10v 20v<VDC<25v
Ri
10Ω
IZ
VL
IL
RL VZ=10v 13v<VDC<16v
Ri IZ
VL
IR
IL
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 8
Mặt khác: Vimin = Imin.Ri + VZ = 20V
⇒ Ω=−= 7,166
06,0
1020R maxi
Vimax = Imax.Ri + VZ = 25V
⇒ Ω=−= 36,136
11,0
1025R mini
Suy ra: 136,4Ω ≤ Ri ≤ 166,7Ω
Vậy ta chọn Ri =150Ω
b- Vẽ đặc tuyến tải:
Ta có: VZ + IZRi = VDC – ILRi
∗ Với VDC = 20V ta có:
==×−
==×−
=+
mA50IkhiV5,1215005,020
mA30IkhiV5,1515003,020
150IV
L
L
ZZ
∗ Với DC = 25V ta có:
==×−
==×−
=+
mA50IkhiV5,1715005,025
mA30IkhiV5,2015003,025
150IV
L
L
ZZ
Tương ứng ta tính được các dòng IZ:
mA7,36
150
105,15I 1Z =
−
= ; mA7,16
150
105,12I 2Z =
−
=
mA70
150
105,20I 3Z =
−
= ; mA50
150
105,17I 4Z =
−
= ;
IZ(mA)
VZ
36,7
50
30
80
70
10
20,5 17,5 15,5 VZ =10V 0
rZ =10Ω
16,7
12,5
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 9
Chương II: TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP
I. Bộ khuếch đại R-C không có CC và không có CE (E.C).
1) Bài 2-10: 20 ≤ β ≤ 60, suy ra ICQ không thay đổi quá 10%.
∗ Phương trình tải một chiều:
VCC = VCEQ + ICQ(RC + RE).
mA8
1010.5,1
525
RR
VV
I 33
EC
CEQCC
CQ =
+
−
=
+
−
=⇒
Nếu coi đây là dòng điện ban đầu khi β = 60 sao cho sau một thời gian
β chỉ còn β = 20 thì yêu cầu ICQ ≥ 7,2mA.
∗ Ta giải bài toán bài toán một cách tổng quát coi β1 = 20; β2 = 60.
E22bbE11b R10
1RRR
10
1R β=≤≤β=
Ω==≤≤Ω== K610.60.
10
1RRK210.20.
10
1R 32bb
3
1b
Vậy 2KΩ ≤ Rb ≤ 6KΩ
∗ Mặt khác
β+
−
=
b
E
BB
CQ R
R
7,0V
I , nếu coi VBB ≈ const thì ta có:
9,0
R
R
R
R
I
I
1
b
E
2
b
E
2CQ
1CQ ≥
β+
β+
= (1)
∗ Có thể tính trực tiếp từ bất phương trình (1):
β+β−≥⇒
β+≥β+ 12bE1
b
E
2
b
E
9,01RR1,0
R
R9,0
R
R
Ω==
+−
=
β+β−
≤⇒
−
K53,3
10.3,28
100
20
9,0
60
1
10.1,0
9,01
R1,0
R 3
3
12
E
b
VCEQ = 5V
+
-
+25V
R2
R1
RC=1,5K
RE=1K
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 10
Chọn Rb = 3,5KΩ.
∗ Nếu bỏ qua IBQ ta có VBB ≈ VBE + IEQRE = 0,7 + 8.10-3.103 = 8,7V.
Suy ra:
Ω≈Ω==
−
=
−
= K4,55368
652,0
10.5,3
25
7,81
110.5,3
V
V
1
1RR
3
3
CC
BB
b1
Ω≈Ω=== K06,1010057
7,8
2510.5,3
V
V
RR 3
BB
CC
b2
∗ Ta có thể tính tổng quát: Chọn Rb = 4KΩ thay vào (1):
%9,88
1200
1067
20
10.410
60
10.410
I
I
3
3
3
3
2CQ
1CQ
==
+
+
= , bị loại do không thỏa mãn (1).
∗ Chọn Rb =3KΩ thay vào (1): 91,0
1150
1050
20
10.310
60
10.310
I
I
3
3
3
3
2CQ
1CQ
==
+
+
= thỏa
mãn bất phương trình (1), ta tính tiếp như trên.
2) Bài 2-11: Với hình vẽ bài (2-10) tìm giá trị cho R1, R2 sao cho dòng iC xoay
chiều có giá trị cực đại.
∗ Điểm Q tối ưu được xác định như sau:
ACƯCQTTƯCEQ
ACDC
CC
TƯCQmaxCm
R.IV
RR
V
II
=
+
==
Từ hình vẽ: RDC = RC + RE = 1,5.103 + 103 = 2,5KΩ.
RAC = RC + RE = 1,5.103 + 103 = 2,5KΩ.
Suy ra: mA510.5,210.5,2
25I 33TƯCQ =+
=
VCEQTƯ = 5.10-3.2,5.103 = 12,5V
∗ Chọn Ω==β= K1010.100.
10
1R
10
1R 3Eb (bỏ qua IBQ)
VBB ≈ VBE + ICQTƯ.RE = 0,7 + 5.10-3.103 = 5,7V
VCE(V)
iC(mA)
VCEQTƯ = 12,5 25
10
R
V
DC
CC
=
( ) 5RR2
V
EC
CC
=
+
−≡ 310.5,2
1ACLLDCLL
QTƯ
0
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 11
Ω≈Ω==
−
=
−
= K13K95,12
772,0
10
25
7,51
110.10
V
V
1
1RR
4
3
CC
BB
b1
Ω≈Ω=== K44K85,43
7,5
2510
V
V
RR 4
BB
CC
b2
Vì RDC = RAC nên phương trìng tải DC và AC trùng nhau.
3) Bài 2-14: Điểm Qbất kỳ vì biết VBB = 1,2V; β = 20. Tìm giá trị tối đa của dao
động có thể có được ở C và tính η.
Biết β = 20, VBEQ = 0,7V.
Ta có: mA3,3
50100
7,02,1
R
R
VV
I
b
E
BEQBB
CQ =
+
−
=
β+
−
=
∗ Để tìm giá trị tối đa của dao động có thể có được ở C ta phải vẽ
phương trình tải DC, AC
VCEQ = VCC – ICQ(RC + RE) = 6 – 3,3.10-3.1,1.103 = 2,37V
∗ Vậy giá trị tối đa của dao động là:
ICmmax = iCmax – ICQ = 5,45 – 3,3 = 2,15mA
Suy ra VLmax = ICmmax.RC = 2,15.103.10-3 = 2,15V
∗ PCC = ICQ.VCC = 3,3.10-3.6 = 19,8mW
+6V
Rb = 1K
RC = 1K
RE = 100Ω VBB = 1,2V
45,5
R
V
DC
CC
=
ICQ = 3,3
iC (mA)
VCE(V) 2,37 3 6 0
2,725 QTƯ
Qbk
−=
1100
1ACLLDCLL
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 12
( ) ( ) mW31,210.10.15,2
2
1R.I
2
1P 3
23
C
2
maxCmL ===
−
Hiệu suất: %7,11
10.8,19
10.31,2
P
P
3
3
CC
L
===η
−
−
II. Bộ KĐRC không có CC, CE (tụ bypass Emitter) (EC)
1) Bài 2-15: Điểm Q bất kỳ.
a- Tìm R1, R2 để ICQ = 01mA (Rb << βRE)
Vì Rb << βRE nên ta có:
A10mA10
R
7,0V
I 2
E
BB
CQ
−
==
−
≈
suy ra VBB = 0,7 + 100.10-2 = 1,7V
Ω==β= K1100.100
10
1R
10
1R Eb
Ω≈=
−
=
−
= K2,1
83,0
10
10
7,11
10
V
V
1
1RR
33
CC
BB
b1
Ω=== K88,5
7,1
1010
V
V
RR 3
BB
CC
b2
b- Để tìm ICmmax với R1, R2 như trên ta phải vẽ DCLL và ACLL:
CE→ ∞
Vcc=10V
R2
R1
RC=150Ω
RE
100Ω
β=100; VBEQ=0,7v
iC (mA)
VCE(V)
Q
−
150
1ACLL
−
250
1DCLL
7,5
60
10
VCEmax = 9V
ICmmax
15
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 13
VCEQ = VCC – ICQ(RC + RE) = 10 – 10-2.250 = 7,5V
Từ hình vẽ ta nhận thấy để ICm lớn nhất và không bị méo thì ICmmax =
10mA.
Ta có thể tìm iCmax và VCemax theo phương trình
( )CEQCE
C
CQC VVR
1Ii −−=−
Cho VCE = 0 ⇒ mA60
150
5,710
R
V
Ii 2
C
CEQ
CQmaxC =+=+=
−
Cho iC = 0 ⇒ V95,7150.10VR.IV 1CEQCCQmaxCE =+=+=
−
2) Bài 2-16: Điểm Q tối ưu (hình vẽ như hình 2-15).
Để có dao động Collector cực đại ta có:
ACDC
CC
ƯCQTmaxCm RR
V
II
+
== (1)
VCEQTƯ = RAC.ICQTƯ (2)
RDC = RC + RE = 150 + 100 = 250Ω
RAC = RC = 150Ω
Thay vào (1) ta được: mA25
150250
10I ƯCQT =+
=
V75,310.25.150V 3ƯCEQT ==
−
VBB ≈ 0,7 + ICQTƯ.RE = 3,2V.
Ω==β= K1100.100.
10
1R
10
1R Eb
Ω≈=
−
=
−
= K47,1
68,0
10
10
2,31
10
V
V
1
1RR
33
CC
BB
b1
VCE(V)
iC(mA)
VCEQTƯ
= 3,75
2ICQTƯ = 50
40
RR
V
EC
CC
=
+
−
150
1ACLL
2VCEQTƯ
=7
10
ICQTƯ = 25
−
250
1DCLL
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 14
Ω≈Ω=== K1,33125
2,3
1010
V
V
RR 3
BB
CC
b2
Để vẽ ACLL, rất đơn giản ta chỉ cần xác định:
iCmax = 2ICQTƯ và VCemax = 2VCEQTƯ.
III. Bộ KĐ R-C có CC và CE (E.C).
1) Bài 2-20: Điểm Q tối ưu
RDC = RC + RE = 900 + 100 =1KΩ
Ω=
+
=
+
= 450
900900
900.900
RR
RR
R
LC
LC
AC
mA9,6
RR
V
II
DCAC
CC
ƯCQTmaxCm ≈+
==
VCEQTƯ = ICQTƯ.RAC = 6,9.10-3.450 = 3,1V
VBB = 0,7 + RE.ICQTƯ = 0,7 + 100.6,9.10-3 = 1,4V
Ω==β= K1100.100.
10
1R
10
1R Eb
CE→ ∞
Vcc=10V
R2
R1
RC=900Ω
RE
100Ω
CC→ ∞
RL=900K
VCE(V)
iC(mA)
VCEQTƯ
= 3,1
2ICQTƯ = 13,8
10
RR
V
EC
CC
=
+
−
450
1ACLL
6,2 10 0
ICTƯ = 6,9
−
1000
1DCLL
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 15
Ω≈=
−
=
−
= 1163
86,0
10
10
4,11
10
V
V1
1RR
33
CC
BB
b1
Ω=== 7143
4,1
1010
V
V
RR 3
BB
CC
b2
Ta có dòng xoay chiều:
V1,3V
mA45,39,6
900900
900I.
RR
R
I
Lm
Cm
LC
C
Lm
=⇒
=
+
=
+
=
2) Vẫn bài 2-20 nếu ta bỏ tụ CE thì ta sẽ có bộ khuếch đại R.C có CC mà không
có CE. Khi đó kết quả tính toán sẽ khác rất ít vì RE << RC, RL
RDC = RC + RE = 900 + 100 = 1KΩ
Ω=
+
+=
+
+= 550
900900
900.900100
RR
RR
RR
LC
LC
EAC
mA45,6
55010
10
RR
V
II 3
ACDC
CC
maxCmƯCQT =
+
=
+
==
VCEQTƯ = ICQTƯ.RAC = 6,45.10-3.550 = 3,55V
VBB = 0,7 + ICQ. RE = 0,7 + 6,45.10-3.100 = 1,345V
Ω==β= K1100.100.
10
1R
10
1R Eb
Ω==
−
=
−
= 1155
8655,0
10
10
345,11
10
V
V1
1RR
33
CC
BB
b1
Ω=== 7435
345,1
1010
V
V
RR 3
BB
CC
b2
mA225,310.45,6.
900900
900I
RR
R
I 3Cm
LC
C
Lm =+
=
+
=
−
VLm = RL.ILm = 900.3,225.10-3 = 2,9V.
IV. Bộ KĐ R.C mắc theo kiểu C.C.
1) Bài 2-22: Mạch có thiên áp Base.
* Đây là dạng bài điểm Q bất kỳ vì đã biết R1, R2.
V525.
10.2010.5
10.5V
RR
R
V 33
3
CC
21
1
BB =
+
=
+
=
mA1,2
60
10.410.2
7,05
RR
7,0VI 3
3b
E
BB
CQ =
+
−
=
β+
−
=
Rb = = = 4KΩ
R1 + R2
R1R2
5.103 + 20.103
5.103.20.103
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 16
(Vì β>>
b
E
R
R nên có thể tính gần đúng theo công thức
E
BB
CQ R
7,0V
I
−
= )
VCEQ = VCC – ICQ(RC + RE) = 25 – 2,1.10-3.3.103 = 18,7V
Từ hình vẽ ta thấy: ICQ < ICQTƯ nên ICm = ICQ = 2,1mA
mA05,110.1,2.
10.210.2
10.2I
RR
R
I 333
3
Cm
LE
L
Lm =
+
=
+
=
−
VLmmax = RL.ILm = 2.103.1,05.10-3 = 2,1V
* Cách vẽ DCLL và ACLL của bộ KĐ R.C mắc C.C tương tự như cách mắc E.C
( )CEQCE
AC
CQC VVR
1Ii −−=−
với Ω=
+
+= k2
RR
RR
RR
LE
LE
CAC
Cho VCE = 0 suy ra mA45,11
10.2
7,1810.1,2
R
V
Ii 3
3
AC
CEQ
CQC =+=+=
−
Q
VCE(V)
iC(mA)
VCEQ
= 18,7
ICmax = 11,45
3,8
R
V
DC
CC
=
− 310.2
1ACLL
10 0
ICQTƯ = 5
− 310.3
1DCLL
22,9 25
ICQ = 2,1
VL
CC→ ∞
Vcc=25V
R2
20K
R1
5K
RC=1K
RE=2K
RL
2K
β=60
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 17
iC = 0 suy ra V9,2210.1,2.10.27,18IRVV 33CQACCEQmaxCEQ =+=+=
−
* Với bài toán trên nếu chưa biết R1 và R2 ta có thể thiết kế để dòng điện ra lớn
nhất: RDC = RC + RE = 103 + 2.103 = 3KΩ.
Ta có: mA5
10.210.3
25
RR
V
I 33
ACDC
CC
ƯCQT =
+
=
+
=
VCEQTƯ = ICQTƯ.RAC = 10V.
2) Bài 2-24: Mạch được định dòng Emitter.
Theo định luật K.II: ΣVkín = 0 ta có
RbIBQ + VBEQ + RE.IEQ –VEE = 0
Suy ra mA93
100
7,010
R
R
7,0V
I
b
E
BB
EQ =
−
≈
β+
−
=
VCEQ = VCC + VEE – ICQ(RC + RE)
= 10 + 10 – 93.10-3.150 = 6,05V
∗ mA5,4610.93.
100100
100I
RR
R
I 3Em
LE
E
Lm =+
=
+
=
−
∗ VLm = ILmRL = 46,5.10-3.102 = 4,65V
∗ Đây là điểm Q bất kỳ nên ta có:
( )CEQCE
AC
CQC VVR
1Ii −−=−
+ Cho VCE = 0 suy ra mA214
R
V
Ii
AC
CEQ
CQmaxC =+=
+ Cho iC = 0 suy ra
V675,1050.10.9305,6RIVV 3ACCQCEQCE =+=+=
−
iL
I.
I
CC→ ∞
VL
CE→ ∞
VEE=-10v
Rb<<βRE
RC=50Ω
RE=100Ω RL=100Ω
VCC=10v
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 18
∗ Nếu bài này được tính ở chế độ tối ưu thì:
RDC = RC + RE = 150Ω
Ω=
+
= 50
RR
RR
R
LE
LE
AC khi đó
mA100A1,0
50150
20
RR
V
I
DCAC
CC
ƯCQT ==+
=
+
=
VCEQTƯ = ICQTƯ.RAC = 5V
VCE(V)
iC(mA)
VCEQ
= 6,05
214
133
RR
VV
EC
EECC
=
+
+
−
50
1ACLL
10,675 20 0
ICQ = 93
−
150
1DCLL
Q
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 19
Chương IV:
THIẾT KẾ VÀ PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP.
I. Sơ đồ mắc Emitter chung E.C:
1) Bài 4-7: Q bất kỳ.
a- Chế độ DC
K3
205,3
20.5,3
RR
RRR
21
21
b ≈+
=
+
=
V320.
205,3
5,3V
RR
RV CC
21
1
BB ≈+
=
+
=
mA6,4
100
10.3500
7,03I 3CQ ≈
+
−
=
VCEQ = VCC – ICQ(RC + RE) = 20 – 4,6.10-3.2.103 = 10,8V
Ω==
−
−
760
10.6,4
10.25h.4,1h 3
3
feie
b- Chế độ AC:
Zo
iC
Zi
Ri
2K
ib
Rb
3K ii
RC
1,5K
iL
RL=1,5K hie
100ib
1,2K
RL=1,5K
ii
RC=1,5K
CC2→ ∞ - +
+VCC=20V
CE→∞
+
-
R1
3,5K
iL
R2=20K
Ri=2K RE
1,5K
CC1→ ∞
- +
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 20
i
b
b
L
i
L
i i
i
i
i
i
i
A == (1)
50100.
10.5,110.5,1
10.5,1h.
RR
R
i
i
i
i
i
i
33
3
fe
LC
C
b
C
C
L
b
L
−=
+
−=
+
−==
( ) 61,076010.2,1
10.2,1
hR//R
R//R
i
i
3
3
iebi
bi
i
b
=
+
=
+
=
Thay vào (1) ta có: Ai = -50.0,61 = -30,6
Zi = Ri//Rb//hie = 1200//760 = 465Ω
Zo = RC = 1,5KΩ.
2) Bài 4-11: Q bất kỳ và hfe thay đổi.
a- Chế độ DC:
∗ 100R5010.50.
10
1R
10
1R bE11b =<Ω==β= , không bỏ qua IBQ.
∗ 100R15010.150.
10
1R
10
1R bE22b =>Ω==β= , bỏ qua IBQ.
mA83
50
10010
7,07,1
RR
7,0VI
1
b
E
BB
1EQ =
+
−
=
β+
−
=
mA100
10
7,07,1
R
7,0VI
E
BB
2EQ =
−
=
−
≈
Ω≈=
−
−
21
10.83
10.25.50.4,1h 3
3
1ie
Ω==
−
−
5,52
10.100
10.25.150.4,1h 3
3
2ie
suy ra 21Ω ≤ hie ≤ 52,5Ω
RL=100Ω
Rb=100Ω
VBB=1,7v ii
RC=100Ω
CC→ ∞ - +
+VCC=20v
CE→∞
+
-
iL
RE
10Ω
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 21
b- Chế độ AC:
ieb
b
fe
LC
C
i
b
b
L
i
L
i hR
R
.h.
RR
R
i
i
i
i
i
i
A
++
−===
66,20
21100
100.50.
100100
100A 1i −=++
−=
1,49
5,52100
100.150.
100100
100A 2i −=++
−=
Zi = Rb//hie suy ra Zi1 = 100//21 = 17,36Ω
Zi2 = 100//52,5 = 34,43Ω
Vậy 20,66 ≤ Ai ≤ 49,18
17,36Ω ≤ Zi ≤ 34,43Ω
3) Bài 4-12: Dạng không có tụ CE
a- Chế độ DC:
mA5,4
100
1010
7,07,5
h
RR
7,0VI 4
3
fe
b
E
BB
CQ =
+
−
=
+
−
=
(có thể tính ICQ = 5 mA)
VCEQ = VCC – ICQ(RC + RE) = 20 – 4,5.10-3.(3.103) = 6,5V
Ω==
−
−
778
10.5,4
10.25.100.4,1h 3
3
ie
Rb=10K
VBB=5,7V
ii
RC=2K
CC→ ∞
- +
+VCC=20V
iL
RE=1K
RL=100Ω
iC
ib
Rb
100Ω
ii
RC
100Ω
iL
hie hfeib RL = 100Ω
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 22
b- Chế độ AC:
i
b
b
L
i
L
i i
i
i
i
i
i
A == (1)
24,95h.
RR
R
i
i
i
i
i
i
fe
LC
C
b
C
C
L
b
L
−=
+
−==
09,0
1077810
10
RhhR
R
i
i
54
4
Efeieb
b
i
b
=
++
=
++
=
Thay vào (1) ta được Ai = -95,24.0,09 = -8,6
[ ] Ω=≈+= K1,910//10Rhh//RZ 54Efeiebi
II. Sơ đồ mắc B.C: Bài 4-21, hoe = 410
1) Chế độ DC:
91,0
11
10
h1
hh
fe
fe
fb ==+
=
Ω==
+
=
−
−
32
10
10.25.10.4,1.
11
1
h1
hh 3
3
fe
ie
ib
5
4
fe
oe
ob 1011
10
h1
h
h −
−
==
+
=
RL=100Ω
ib
Rb
10K ii
RC
2K
iL
hfeRE
100ib
hie=778Ω
VCC
R2
Vi
+
- R1 Cb→ ∞
ri=50Ω RL=10K
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 23
2) Chế độ AC:
i
e
e
L
i
L
V V
i
i
V
V
V
A == (1)
82791,0.
1010
10.10h.
h
1R
h
1R
i
i
.
i
Ri
i
V
54
54
fb
ob
L
ob
L
e
C
C
LL
e
L
−=
+
−=
+
−==
012,0
3250
1
hR
1
hR
V.
V
1
V
i
ibiibi
i
ii
e
−=
+
−=
+
−=
+
−
=
Thay vào (1) ta được AV = (-827).(-0,012) = 10,085 ≈ 10
III. Sơ đồ mắc C.C: Bài 4-23
1) Chế độ DC
VCC = IBQRb + VBEQ + REIEQ
mA65,4
100
1010
7,010
RR
7,0VI 5
3b
E
CC
EQ =
+
−
=
β+
−
=⇒
VCEQ = VCC – REIEQ = 10 – 4,65.10-3.103 = 5,35 V
RL
10KΩ
iL
1/hob
105Ω
iC
hfbie
0,91ib
hib
32Ω
ie
Ri 50Ω
Vi
+
-
RL
1KΩ
Vi
+
-
RE
1KΩ
Zo Zi
Cc2→∞
ri 500Ω
100KΩ
Rb
Cc1→∞
+VCC =10V
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 24
2) Chế độ AC
Ω≈=
−
−
753
10.65,4
10.25h4,1h 3
3
feie
i
b
b
L
i
L
v V
V
V
V
V
V
A == (1)
( )
( )[ ]
985,0
000.50753
500.100
R//Rhhi
R//Rh.i
V
V
LEfeieb
LEfeb
b
L
=
+
=
+
=
(2)
R’b = Rb//[hie + hfe(RE//RL)] = 33,3Ω
994,0
10.3,33500
K3,33
Rr
R
Rr
V
.R.
V
1
V
V
3'
bi
'
b
'
bi
i'
b
ii
b
=
+
Ω
=
+
=
+
= (3)
Thay (2), (3) vào (1) ta có: AV = 0,985.0,994 = 0,979 ≈ 0,98
[ ] Ω≈+≈
+= 37,12553,7//10
h
R//r
h//RZ 3
fe
bi
ibEo
( )[ ] Ω==+= K3,33RR//Rhh//RZ 'bLEfeiebi
iL’
ri 500Ω
Vi
+
-
hie 753Ω ib
Rb
100KΩ
Re.hfe
100KΩ
RL.hfe
100KΩ
Vb VL
Zi
hie/hfe 7,53Ω
ie
RE
1KΩ
ri/hfe
5Ω
Rb/hfe
1KΩ
Zo
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 25
Chương VI: MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG.
I. Transistor ghép Cascading:
1) E.C – C.E
Bài 6-1: Điểm Q bất kỳ, 2 tầng hoàn toàn độc lập với nhau.
a - Chế độ DC
Ω==>Ω=
+
=
+
= 500R.h.
10
1RK1,2
10.710.3
10.7.10.3
RR
R.RR Efeb33
33
2111
2111
1b
suy ra, không được bỏ qua IBQ1;
V310.
10.710.3
10.3V.
RR
R
V 33
3
CC
2111
11
1BB =
+
=
+
=
mA2,16
50
2100100
7,03
h
R
R
7,0V
I
1fe
b
E
1BB
1EQ
1
1
=
+
−
=
+
−
=
VCEQ1 = VCC – IEQ1(RC1 + RE1) = 10 – 16,2.10-3.300 = 5,14V
Ω===
−
−−
108
10.2,16
10.25.50.4,1
I
10.25.h4,1h 3
3
1EQ
3
1fe1ie
Ω==<Ω=
+
=
+
= 1250R.h.
10
1RK9,0
10.910
10.9.10
RR
R.R
R Efeb33
33
2212
2212
2b
suy ra, được bỏ qua IBQ2;
V110.
10.910
10V.
RR
R
V 33
3
CC
2212
12
2BB =
+
=
+
=
mA2,1
250
3,0
50
900250
7,01
2h
R
R
7,0V
I
2b
2E
2BB
2EQ =≈
+
−
=
+
−
=
VCEQ2 = VCC – IEQ2(RC2 + RE2) = 10 – 1,2.10-3.2250 = 7,3V
Ω===
−
−−
1458
10.2,1
10.25.50.4,1
I
10.25.h4,1h 3
3
2EQ
3
2fe2ie
b - Chế độ AC
i
1b
1b
2b
2b
L
i i
i.
i
i.
i
iA = (1)
iC2
VL
Zo Zi
Rb
2,1K ii
hie1
108 50ib1
RC1
200
Rb2
900
hie2
1458 50ib2
RC
2K
ib1 ib2 iC1
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 26
50h.1
i
i.
i
i
i
i
2fe
2b
2C
2C
L
2b
L
−=−== (2)
( )
06,550.
1458164
164
h.
hR//R
R//R
i
i.
i
i
i
i
1fe
2ie2b1C
2b1C
1b
1C
1C
2b
1b
2b
−≈
+
−
≈
+
−
==
(3)
951,0
1082100
2100
hR
R
i
i
1ieb
b
i
1b
=
+
=
+
= (4)
Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có
Ai = (-50).(5,06).(0,951) ≈ 241
Zi = Rb//hie1 = 2,1.103//108 ≈ 103Ω
Zo = ∞
Để tìm biên độ đỉnh đối xứng cực đại ta vẽ DCLL và ACLL.
Từ ( )CEQCE
AC
CQC VvR
1Ii −−=−
vCE = 0 suy ra, ICmax = ICQ +VCEQ/RAC
= 1,2.10-3 + 7,3/2.103 = 4,85mA
iC = 0 suy ra, vCemax = VCEQ.RAC
= 7,3 + 1,2.10-3.2.103 = 9,7V
Từ đặc tuyến DCLL và ACLL ta có ICmmax = 1,2mA
Bài 6-2: Điểm Q tối ưu nên phải tính tầng thứ hai trước, tầng 1 sau.
a- Chế độ DC:
RDC2 = RC2 + RE2 = 2250Ω; RAC2 = RC = 2KΩ.
mA35,2
20002250
10
RR
V
I
2AC2DC
CC
ƯT2CQ =+
=
+
=
VCEQ2TƯ = ICQ2TƯ.RAC2 = 2,35010-3.2.103 = 4,7V
Q
VCE(V)
iC(mA)
7,3
iCmax = 4,85
4,4
R
V
DC
CC
=
− 310.2
1ACLL
0
−
250
1DCLL
9,7
10
ICQ = 1,2
ICmmax
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 27
Ω===
−
−−
745
10.35,2
10.25.50.4,1
I
10.25.h4,1h 3
3
2EQ
3
2fe2ie
RDC1 = RC1 + RE1 = 200 + 100 = 300Ω;
RAC1 = RC1//Rb2//hie2 = 200//900//745 ≈ 134,4Ω
mA23
4,134300
10
RR
V
I
1AC1DC
CC
ƯT1CQ =+
=
+
=
Ω===
−
−−
76
10.23
10.25.50.4,1
I
10.25.h4,1h 3
3
1EQ
3
1fe1ie
b- Chế độ AC: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ như trên chỉ có hie1 và hie2
có giá trị khác. Ta áp dụng luôn công thức (1) ở trên:
( ) 434762100
2100.
745164
164.2500
hR
R
.
hR//R
R//R
h.hA
1ieb
b
2ie2b1C
2b1C
2fe1fei ≈++
=
++
=
2) E.C – C.C:
Bài 6-3 Điểm Q tối ưu
a- Chế độ DC:
Tầng 2:
RDC2 = RE2 = 1KΩ; RAC2 = RE2//RL = 500Ω.
mA7,6
50010
10
RR
V
I 3
2AC2DC
CC
ƯT2CQ =
+
=
+
=
VCEQ2TƯ = ICQ2TƯ.RAC2 = 6,7.10-3.500 = 3,35V
Ω===
−
−−
522
10.7,6
10.25.100.4,1
I
10.25.h4,1h 3
3
2EQ
3
2fe2ie
Ω=Ω=== K101010.100.
10
1R.h
10
1R 432E2fe2b
VBB = 0,7 + ICQ2TƯ.RE = 0,7 + 6,7.10-3.103 = 7,4V
Ω==
−
=
−
= K46,38
26,0
10
10
4,71
10
V
V
1
R
R
44
CC
2BB
b
12
Ω=== K5,13
4,7
1010
V
V
RR 4
2BB
CC
b22
Tầng 1:
RDC1 = RC1 + RE1 = 400 + 100 = 500Ω;
RAC1 = RC1//Rb2//[hie2 + hfe(RL//RE)]
= 400//104//[261 + 100.500] = 400//8333 ≈ 382Ω.
mA34,11
382500
10
RR
V
I
1AC1DC
CC
ƯT1CQ =+
=
+
=
VCEQ1TƯ = ICQ1TƯ.RAC1 = 11,34.10-3.382 = 4,33V
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 28
Ω===
−−
309
34,11
10.25.100.4,1
I
10.25.h4,1h
3
2EQ
3
1fe1ie
Ω=== K1100.100.
10
1R.h
10
1R 1E1fe1b
VBB1 = 0,7 + ICQ1TƯ.RE1 = 0,7 + 11,34.10-3.100 = 1,834V
Ω==
−
=
−
= K25,12
8166,0
10
10
834,11
10
V
V
1
R
R
33
CC
1BB
1b
11
Ω=== K45,5
834,1
1010
V
V
RR 3
1BB
CC
1b21
b- Chế độ AC:
i
1b
1b
2b
2b
L
T i
i
.
i
i
.
i
V
A = (1)
( )( ) 3LEfe
2b
L 10.5,50R//Rh1
i
V
=+= (2)
( ) ( )
75,0
51407
10.385100.
50500522385
385
h.
R//Rh1hR//R
R//R
i
i
.
i
i
i
i
2
1fe
LEfe2ie2b1C
2b1C
1b
1C
1C
2b
1b
2b
−≈
−
=
++
−
=
+++
−
==
(3)
764,0
30910
10
hR
R
i
i 3
1ie1b
1b
i
1b
=
+
=
+
= (4)
Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có
AT = (50,5.103).(-0,75).(0,764) ≈ -29000
AT = -29000V/A = -29V/mA.
Zi = Rb//hie1 = 103//309 = 236Ω
[ ] Ω≈=+=
+= 907,9//1085,322,5//10
h
R//R
h//RZ 33
2fe
2b1C
2ibEo
iL’
VL
Zo Zi
Rb1
2,1K ii
hie1
309 100ib
RC1
400
Rb2
10K
hie2 522
(1+hfe)RL
101KΩ
ib1 ib2 iC1
(1+hfe)RE
101KΩ
RE
1KΩ
Zo
hib2 ie2
Rc1//Rb2
hfe2
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 29
3) Dạng bài hỗn hợp E.C – C.C: Bài 6-4
Tìm R để
i
02
i
01
i
V
i
V
−= (1)
i
1b
1b
2b
2b
01
i
01
i
i
.
i
i
.
i
V
i
V
= (2)
i
1b
1b
2b
2E2fe
i
02
i
i
.
i
i
.R)h1(
i
V
+= (3)
suy ra 2E2fe
2b
01 R).h1(
i
V
+−= (4)
2b
2C
2C
3b
3b
01
2b
01
i
i
.
i
i
.
i
V
i
V
= (5)
Từ (5) suy ra
2E2fe2fe
3E3fe3ie2C
2C
3E3fe
2b
01 R)h1(h
R)h1(hRR
R
.R)h1(
i
V
+−=
++++
+=
5050100.
505010R10
10.5050 33
3
−=
+++
− (6)
105 = 7050 + R
R = 100KΩ - 7,05KΩ ≈ 93KΩ
Tìm
i
01
i
V
Từ (2) ta có:
5050
50501010.9310
10.10.5050
R)h1(hRR
h.R.R)h1(
i
i
i
i
i
V
i
V
333
23
3E3fe3ie2C
2fe2C3E3fe
2b
2C
2C
3b
3b
01
2b
01
−≈
+++
−=
++++
+
−==
(7)
( )
( )
63,7
6550
10.5
50501000500
100.500
h.
R)h1(hR//R
R//R
i
i
.
i
i
i
i
4
1fe
2E2fe2ie2b1C
2b1C
1b
1C
1C
2b
1b
2b
−=−=
++
−=
+++
−==
(8)
( )
( ) 5,01010
10
hR//R
R//R
i
i
33
3
1ie1bi
1bi
i
1b
=
+
=
+
= (9)
Thay (7), (8), (9) vào (2) ta được:
iC2
hie1
1K
Ri
100K ii
hie2 1K
100ib1
RC1
1K
Rb2
1K hfe2RE2
5050
ib2 ib1 iC1
Rb1
1K Vo2
100ib2
hie3 1K
RC2
1K hfe3RE3
5050
ib3
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 30
( ) ( )
mA
V27,195,0.63,7.5050
i
V
i
01
≈−−=
Zi = Ri//Rb1//hie1 ≈ 500Ω
[ ] Ω≈++=
++= 5,471093010//50
h
R
h
Rh//RZ
3fe
2C
3fe
3ib3Eo
II. Transistor mắc vi sai và Darlingtơn
1) Bài 6-23: E.C – E.C.
a- Chế độ DC
V25,29.
10.310
10V.
RR
R
VV 33
3
CC
2111
11
2BB1BB =
+
=
+
==
mA55,1
42,710
7,025,2
h
R
R2
7,0V
II 3
fe
b
E
1BB
2EQ1EQ =
+
−
=
+
−
==
IE = 2IE1 = 3,1mA
VCEQ1 = VCC – 2RE.ICQ1 = 9 – 2.500.1,55.10-3 = 7,45V
VCEQ2 = VCC – 2RE.ICQ1 – RC2.ICQ2
= 9 – 103.1,55.10-3 – 2,5.103.1,55.10-3 = 3,575V
RE3
50Ω
Zo
hib3 10 R/hfe3 930
Rc2
hfe3
=10
+VCC =9V
ii
R21
3K
iL
ib3
R11
K
RE1
500
T1
T2
RC2
2,5K
R22
3K
R12
1K
T3
T4
RC4=RL
60
RE4
60
hfe=100
iC4 hie1
hfe2ib2
100ib2
RL
(1+hfe)RE1
(1+hfe)ib4 ii
hie3
RC2
2,5K
Rb2
750
h2feRE4
ib1 ib2 hfe3hie4
Rb1
750
hie2
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 31
V725,34,1875,39VVI.RVV 4BE3BE2CQ2CCCR 4E =−−=−−−=
mA62
60
725,3
R
V
II
4E
R
4EQ4CQ
4E
≈===
mA62,0
10
10.62
h
I
III 2
3
fe
4CQ
4BQ3EQ3CQ ≈=≈==
−
VCEQ4 = VCC – ICQ4(RC4 + RE4) = 9 – 62.10-3.120 = 9 – 7,44 = 1,56V
VCEQ3 = VCEQ4 – VBE4 = 1,56 – 0,7 = 0,86V
Ω===
−
−−
2258
10.55,1
10.25.100.4,1
I
10.25.h4,1h 3
3
1EQ
3
1fe1ie
Ω===
−
−−
5645
10.62,0
10.25.100.4,1
I
10.25.h4,1h 3
3
1EQ
3
3fe3ie
Ω===
−
−−
45,56
10.62
10.25.100.4,1
I
10.25.h4,1h 3
3
1EQ
3
4fe4ie
b- Chế độ AC
( ) 50500101.500h1RR fe1E'E ==+=
( )[ ]( ) [ ] Ω=+=+++= K76,617101.606045,56h1Rh1hR 3fe4E4fe4ie' 4E
i
1b
1b
2c
2c
3b
3b
L
i
L
i i
i
.
i
i
.
i
i
.
i
i
i
i
A == (1)
( )( ) 10201101.101h1h1
i
i
4fe3fe
3b
L
==++= (2)
( )
3
33
3
'
4E4iefe3ie2C
2C
2c
3b
10,4
605,631
5,2
10.76,6175700564510.5,2
10.5,2
Rhh1hR
R
i
i
−≈
−
=
+++
−
=
++++
−
=
(3)
( ) 1001.h
i
i
i
i
i
i
2fe
1b
2b
2b
2c
1b
2c
−=−== (4)
(Vì R’E rất lớn nên coi ib2 ≈ ib1)
3''
E1ieb
b
i
1b 10.4,128
28322258750
750
RhR
R
i
i
−
=
++
=
++
= (5)
iC2 hie1 2258
100ib2
RC
60Ω
R’E
50,5K
Zo
(1+hfe)2ib3
10201ib3
ii
hie3
5645
RC2
2,5K
Rb
750
R’E4
618K
ib1 ib2
hie4(1+hfe)
5700
Rb1
750
hie2 2258
ib3 iL
Zo’
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 32
với [ ] Ω≈=+= 28323008//5050Rh//RR b2ie'E''E
Thay (2), (3), (4), (5) vào (1) ta có:
Ai = 10201.(-4.10-3).(-100).128,4.10-3 = 522,3 (lần)
Zi = Rb1//(hie1 +R’’E) ≈ 750//(2258 + 2832) = 654Ω
Zo = ∞ ⇒ Z’o = Zo//RC = RC = 60Ω
2) Bài 6-24: E.C – C.C
a- Chế độ DC
Áp dụng định luật K.II ΣVkín = 0 cho vòng 2 ta có:
VBE3 + IEQ3RE3 – VEE = 0 (1)
mA3,2
10
7,03
R
VV
I 3
3E
3BEEE
3EQ =
−
=
−
=
mA15,1
2
I
II 3EQ2EQ1EQ ===
VCE1 = VCE2 = VCC – RC1ICQ1 – VE1 (2)
Mặt khác áp dụng định luật K.II ΣVkín = 0 cho vòng 1 ta có:
-VBB1 + RbIBQ1 + VBE1 + VE1 = 0 (3)
⇒ VE = VBB1 – RbIBQ1 – VBE1 = 1 – 104.1,15.10-5 – 0,7 =0,185V
Thay vào (2) ta được:
VCE1 = VCE2 = 6 – 103.1,15. 10-3 – 0,185 = 4,665V ≈ 4,67V
Ta có VE1 = VCE3 + RE3.IEQ3 - VEE (4)
Suy ra VCE3 = VEE + VE1 – RE3IEQ3
= 3 + 0,185 – 103.2,3.10-3 = 0,885V
VRE6 = VCC – RC2ICQ2 – VBE4 - VBE5 - VBE6
= 6 – 103.1,15.10-3 – 2,1 = 2,75V
mA275
10
75,2
R
V
I
6E
6RE
6EQ ===
VCE6 = VCC – VRE6 = 6 – 2,75 = 3,25V
VCE5 = VCE6 – VBE6 = 3,25 – 0,7 = 2,55V
VL
Zo Zi
ii
-3V
Rb1
10K
RC1
1K
Rb2
10K
RE
1K
VBB2
1V
T4
T5
RC2
1K
VBB1
1V
T3
RE6
10
T6
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 33
VCE4 = VCE5 – VBE5 = 2,55 – 0,7 = 1,85V
Ω===
−
−
−
−
3043
10.15,1
10.25.100.4,1
10.15,1
10.25.h4,1h 3
3
3
3
1fe1ie
mA75,2
h
I
I
6fe
6EQ
5EQ == ; A10.75,2h
I
I 5
5fe
5EQ
4EQ
−
==
Ω===
−
−−
72,12
10.275
10.25.100.4,1
I
10.25.h4,1h 3
3
6EQ
3
6fe6ie
hie5 = 1272Ω; hie4 = 127.200Ω
b- Chế độ AC
( ) Ω≈≈+= 766E3fe6E' 6E 1010.Rh1RR
i
2b
2b
4b
4b
L
i
L
T i
i
.
i
i
.
i
V
i
V
A == (1)
Ω≈= 7' 6E
4b
L 10R
i
V
(2)
4
4
2
733
23
'
6E4ie2C
2fe2C
2b
2C
2C
4b
2b
4b
10.3,96
106,3811
10
1010.6,38110
10.10
Rh3R
h.R
i
i
.
i
i
i
i
−
−=
++
−=
++
−=
++
−==
(3)
485,0
1010.086,610
10
Rh2R
R
i
i
i
i
434
4
2b1ie1b
1b
i
1b
i
2b
−=
−+
−=
++
−=−=
(4)
Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có
AT = 107.(-96,3).10-4.(-0,485) = 46728V/A = 46,7V/mA
Zi = Rb1//[2hie1 + Rb2] ≈ 6,15KΩ
( ) Ω≈=
+= 37,0382,0//10
h
h3
h
R
//RZ 3
fe
4ie
3
fe
2C
6Eo
iC2 hie1 3043
VL
hfe2ib2
100ib2
Zo Zi
ii
hie4
127,2K
RC2
1K
Rb2
10K
R’E6
ib1
Rb1
10K
hie2 3043
ib4
ib2
hie5.hfe4
127,2K
hie5.hfe4.hfe5
127,2K
Zo
RE6
3hie4
h3fe
=0,381 Rc2
h3fe
≈10
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 34
Chương VII: MẠCH KHUẾCH ĐẠI HỒI TIẾP.
I. Hồi tiếp áp, sai lệch dòng.
1) Bài 7-4
=
Ω=
40h
K1h
GT
fe
ie ;
==
=
?
i
i
A
?T
KL
i
L
i
Đây là dạng hồi tiếp áp, sai lệch dòng.
a- Tính độ lợi dòng T: cho ii = 0
'
1
1b
1b
2b
2b
1
i
'
1
1
V
i
.
i
i
.
i
V
0iV
V
T =
=
= (1)
( ) 32fe22E
2b
1 10.41h1R
i
V
=+= (2)
( ) ( )
941,0
85
80
10.4110.411010.2
40.10.2
h1Rh1RhR
h.R
i
i
.
i
i
i
i
3333
3
2fe22E2fe21E2ie1C
1fe1C
1b
1C
1C
2b
1b
2b
−=−=
+++
−=
+++++
−==
(3)
634
1ief1ief
'
1
'
1
'
1
1b 10.91
1010
1
hR
1
hR
V
.
V
1
V
i
−
=
+
=
+
=
+
= (4)
V1
ii
RE22
1K
Rf 10K
RC1
2K
RC2
2K
iL
RL
100
+VCC
RE21
1K
T1
VL
iC2
hie1
hfe1ib1
40ib1
RE21(hfe2+1)
41K
Zo Zi
ii
RC1
2K
RC2
2K
ib1 ic1
40ib2
Rf
V1
hie2 1K
ib2
V’1
+
-
RE22(hfe2+1)
41K
RL
100
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 35
Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có:
T = 41.103.(-0,941).91.10-6 = -3,51
b- Tính
i
L
i i
iA = cho V’1 = 0
i
1b
1b
2b
2b
L
i
L
i i
i
.
i
i
.
i
i
i
i
A == (1)
6,3940.
1010.2
10.2h.
RR
R
i
i
.
i
i
i
i
3
3
2fe
L2C
2C
2b
2C
2C
L
2b
L
−=
+
−=
+
−== (2)
941,0
i
i
1b
2b
−= (như (3) ở phần trên) (3)
234
4
1ief
f
i
1b 10.91
1010
10
hR
R
i
i
−
=
+
=
+
= (4)
Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có:
Ai = (-39,6).(-0,941).91.10-2 = 33,9 ≈ 34
c- Tính Aif, Zif, Zof.
54,7
51,31
34
T1
A
A iif =+
=
−
=
Zi = Rf//hie1 = 104//103 ≈ 910Ω
Ω=
+
=
−
= 202
51,31
910
T1
Z
Z iif
Zo = RC2 = 2KΩ
Ω=
+
=
−
= 443
51,31
10.2
T1
Z
Z
3
o
of
2) Bài 7-11
∞→
Ω=
=
C
10h
100h
GT ib
fe
;
=
==
?T
Z;Z
?
i
i
A
KL oi
i
L
i
ii
Rf = Rb =10K
RC 2K
C
iL
RL
+VCC
RE
100
C
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 36
hie = hib.hfe = 10.100 = 1KΩ
a- Độ lợi vòng T: cho ii = 0
'
L
b
b
L
i
'
L
L
V
i
.
i
V
0iV
V
T =
=
= (1)
433
233
fe
LC
C
L
b
C
C
L
b
L 10.5
1010
10.10.10h.
RR
R
.R
i
i
.
i
V
i
V
−=
+
−=
+
−== (2)
634
iefief
'
L
'
L
'
L
b 10.91
1010
1
hR
1
hR
V
.
V
1
V
i
−
=
+
=
+
=
+
= (3)
Thay (2), (3) vào (1) ta có:
T =(-5.104).91.10-6 = -4,55
b- Tính Ai, Zi, Zo.
i
b
b
L
'
Li
L
i i
i
.
i
i
0Vi
i
A =
=
= (1)
50100.
1010
10h.
RR
R
i
i
.
i
i
i
i
3
3
fe
LC
C
b
C
C
L
b
L
−=
+
−=
+
−== (2)
234
4
ief
f
i
b 10.91
1010
10
hR
R
i
i
−
=
+
=
+
= (3)
Thay (2), (3) vào (1) ta có:
Ai = (-50).91.10-2 = -45,45
Zi = Rf//hie = 104//103 = 910Ω
Zo = RC = 103Ω = 1KΩ
c- Tính Aif, Zif, Zof.
2,8
55,41
50
T1
A
A iif −=+
−=
−
=
Ω=
+
=
−
= 164
55,41
910
T1
Z
Z iif
Ω=
+
=
−
= 180
55,41
10
T1
Z
Z
4
o
of
hie1
iL
VL hfeib
100ib
Zo
ii
RC
1K
ib ic
Rf Rf
10K
V’L
+
-
RL
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 37
II. Hồi tiếp áp, sai lệch áp:
1) Bài 7-10
∞→
Ω=
=
C
50h
50h
GT ib
fe
;
=
==
?T
Z;Z
?
i
i
A
KL oi
i
L
i
a- Tính độ lợi vòng T (cho ii = 0)
'
L
1b
1b
2b
2b
L
i
'
L
L
V
i
.
i
i
.
i
V
0iV
V
T =
=
= (1)
33
34
34
2fe
2Cf
2Cf
2b
2C
2C
L
2b
L
10.5,8350.10.67,150.
10.210
10.2.10
h.
RR
R.R
i
i
.
i
V
i
V
−=−=
+
−=
+
−==
(2)
( )
46,12
10.5,210.83,0
50.10.83,0
h
hR//R
R//R
i
i
.
i
i
i
i
33
3
1fe
2ie2b1C
2b1C
1b
1C
1C
2b
1b
2b
−=
+
−=
+
−==
(3)
6
3533
3
1fef1E1fe1ie1b
1fe1E
'
L
1b
10.2,1
10.210.5
1.
10.510.5,2890
10.5
'Rh.R
1.
R.hhR
h.R
V
i
−
−=
+++
−
=
+++
−
=
(4)
VL
ii
Rf =10K
C
+VCC
R21
8K
C
R11
1K
RC1
1K
RE1
100
R22
10K
R12
10K
RC2
2K
RE2
1K
iC1
hfe1ib1
50ib1
hie1 2,5K
hie2
2,5K
RC2
2K
Zo
ii
RC1
1K
Rb2
5K
Rf
10K
ib2 ib1 iC2
hfe2ib2
50ib2
Rf.hfe1
5.105
RE1hfe1
5K
V
’
L
+
-
Rb1
890
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 38
Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có:
T = (-83,5.103).(-12,46).(1,2.10-6)= -1,25
b- Tính AT, Zi, Zo.
i
1b
1b
2b
2b
L
i
L
T i
i
.
i
i
.
i
V
i
V
A == (1)
2b
L
i
i
và
1b
2b
i
i
tính như trên theo công thức (2), (3)
( ) 107,010.95,410.5,2890
890
hRRhR
R
i
i
33
1fef1E1ie1b
1b
i
1b
=
++
=
+++
= (4)
Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có:
Ai = (-83,5.103).(-12,46).(0,107) = 111.103V/A = 111V/mA
Zi = Rb1//[hie1 + (RE11//Rf)(1 + hfe)] = 890 //[2500 + 4950] = 795Ω
Zo = Rf = 10KΩ
c- Tính AVf, Zof, Zif.
mA
V49
A
V10.49
25,11
10.111
T1
A
A 3
3
T
Tf ==+
=
−
=
( ) Ω=+=−= 1788)25,11(795T1ZZ iif
Ω=
+
=
−
= 4444
25,11
10
T1
Z
Z
4
o
of
2) Bài 7-12
∞→
Ω=
=
C
50h
20h
GT ib
fe
;
=
=
?T
Z;Z
?A
KL oi
V
VL
Vi
+
-
ri 1K
Rf =1K
C
+VCC
R21
10K
C
R11
1K
RC1
500
RE12
82
R22
10K
R12
1K
RC2
500
RE22
82
C
RE11
22
C
RE21
22
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 39
a- Tính độ lợi vòng T (cho Vi = 0)
'
L
1b
1b
2b
2b
L
i
'
L
L
V
i
.
i
i
.
i
V
0iV
V
T =
=
= (1)
( ) 666720.500//10h.
RR
R.R
i
i
.
i
V
i
V 3
2fe
2Cf
2Cf
2b
2C
2C
L
2b
L
−=−=
+
−== (2)
( ) ( )
52,3
1835
6460
4621050323
20.323
h
h1RhR//R
R//R
i
i
.
i
i
i
i
1fe
2fe21E2ie2b1C
2b1C
1b
1C
1C
2b
1b
2b
−=−=
++
−=
+++
−==
(3)
( )
( )( )
( )( ) ( )
6
3
3
1bi1ie1fef11E
1fef11E
1fef
,
L
,
L
'
L
1b
10.88,10
4,41546
10.452
4,4761050452
452.
10.21
1
R//rhh1R//R
h1R//R
.
h1R
V
.
V
1
V
i
−
−
−=−=
++
−=
+++
+
+
−=
(4)
Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có:
T = (-6667).(-3,52).(-10,88.10-6)= -0,255
b- Tính AV, Zi, Zo.
i
1b
1b
2b
2b
L
i
L
V V
i
.
i
i
.
i
V
V
V
A == (1)
2b
L
i
V và
1b
2b
i
i
tính như trên theo công thức (2), (3)
( ) ( )( )
5
3
3
1fef11E1ie1bi
1bi
i
i
ii
1b
10.24
4,1978
10.4,476
45210504,476
4,476.
10
1
h1R//RhR//r
R//r
.
r
V
.
V
1
V
i
−
−
==
++
=
+++
=
(4)
hfe1ib1
20ib1
Rf(hfe1+1)
21K hie2 1050
Vi
+
-
Zo Zi
Rb1
910
RCb2
910
ib1 iC2
RE11(1+hfe1)
462
iC1
V’L
+
-
ri 1K
RC1
500
RC2 500 ib2 ii hie1 1050
RE21(1+hfe2)=462Ω
20ib2
Rf 1050
Rf(hfe1+1)
21K
Rb1
910
ib1
RE11(1+hfe1)
462
ri
1K
hie1 1050
V’L
Rf(1+hfe1)
Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I
Một số bài tập mẫu 40
Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có:
AV = (-6667)(-3,52).24.10-5 = 5,63
Zi = Rb//[hie1 + (RE11//Rf)(1 + hfe1)] = 103 //1502 ≈ 600Ω
Zo = Rf = 1000Ω
c- Tính AVf, Zif, Zof.
486,4
255,01
63,5
T1
A
A VVf =+
=
−
=
( ) Ω=+=−= 753)255,01(600T1ZZ iif
Ω=
+
=
−
= 797
255,01
1000
T1
Z
Z oof
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- Mạch điện tử I_ Bài tập.pdf