Tài liệu Đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai số ước lượng giá trị hệ số hấp thụ riêng của thiết bị vô tuyến nhiều Ăng ten phát: Kỹ thuật điều khiển & Điện tử
C. V. Hải, L. Đ. Thành, N. H. Hoàng, “Đánh giá một số yếu tố nhiều ăng ten phát.” 44
ĐÁNH GIÁ MỘT SỐ YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG ĐẾN
SAI SỐ ƯỚC LƯỢNG GIÁ TRỊ HỆ SỐ HẤP THỤ RIÊNG CỦA
THIẾT BỊ VÔ TUYẾN NHIỀU ĂNG TEN PHÁT
Chu Văn Hải*, Lê Đình Thành, Nguyễn Huy Hoàng
Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai
số ước lượng khi sử dụng kỹ thuật ước lượng để xác định giá trị hệ số hấp thụ riêng
SAR của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát. Các yếu tố được xem xét phân tích bao
gồm: ảnh hưởng của kích thước phantom và ảnh hưởng của tần số phát. Mô phỏng
kiểm chứng với các mô hình kích thước đặc trưng của phantom phẳng và nguồn bức
xạ tại các tần số vô tuyến thông dụng chỉ ra rằng sai số ước lượng SAR gia tăng khi
kích thước phantom giảm hoặc tần số phát giảm.
Từ khóa: Hệ số hấp thụ riêng SAR, Thiết bị nhiều ăng ten phát, Đầu dò điện trường, Sai pha tương đối.
1. ĐẶT VẤN ĐỀ
Hệ thống thông tin vô tuyến ngày na...
8 trang |
Chia sẻ: quangot475 | Lượt xem: 336 | Lượt tải: 0
Bạn đang xem nội dung tài liệu Đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai số ước lượng giá trị hệ số hấp thụ riêng của thiết bị vô tuyến nhiều Ăng ten phát, để tải tài liệu về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Kỹ thuật điều khiển & Điện tử
C. V. Hải, L. Đ. Thành, N. H. Hoàng, “Đánh giá một số yếu tố nhiều ăng ten phát.” 44
ĐÁNH GIÁ MỘT SỐ YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG ĐẾN
SAI SỐ ƯỚC LƯỢNG GIÁ TRỊ HỆ SỐ HẤP THỤ RIÊNG CỦA
THIẾT BỊ VÔ TUYẾN NHIỀU ĂNG TEN PHÁT
Chu Văn Hải*, Lê Đình Thành, Nguyễn Huy Hoàng
Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai
số ước lượng khi sử dụng kỹ thuật ước lượng để xác định giá trị hệ số hấp thụ riêng
SAR của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát. Các yếu tố được xem xét phân tích bao
gồm: ảnh hưởng của kích thước phantom và ảnh hưởng của tần số phát. Mô phỏng
kiểm chứng với các mô hình kích thước đặc trưng của phantom phẳng và nguồn bức
xạ tại các tần số vô tuyến thông dụng chỉ ra rằng sai số ước lượng SAR gia tăng khi
kích thước phantom giảm hoặc tần số phát giảm.
Từ khóa: Hệ số hấp thụ riêng SAR, Thiết bị nhiều ăng ten phát, Đầu dò điện trường, Sai pha tương đối.
1. ĐẶT VẤN ĐỀ
Hệ thống thông tin vô tuyến ngày nay đóng vai trò quan trọng trong đời sống xã hội và
phát triển kinh tế. Nhằm nâng cao tốc độ và chất lượng truyền tin, nhiều công nghệ mới đã
và đang được triển khai nghiên cứu ở các phòng thí nghiệm trên thế giới, trong đó điển
hình là các hệ thống thông tin vô tuyến nhiều ăng ten phát. Với các hệ thống thông tin này,
việc nghiên cứu tương thích điện từ trường nhằm đảm bảo các thiết bị trong hệ thống
không gây nhiễu tới các thiết bị khác và an toàn đối với người sử dụng là một vấn đề thiết
thực đặt ra trong thực tế. Đối với các thiết bị bức xạ sóng điện từ sử dụng gần cơ thể con
người, ủy ban an toàn về sóng điện từ quốc tế [1, 2] đã quy định sử dụng giá trị hệ số hấp
thụ riêng SAR (SAR: Specific Absorption Rate) làm tham số trong an toàn bức xạ điện từ
trường.
Hệ số hấp thụ riêng SAR được định nghĩa là mức năng lượng điện từ trường được hấp
thụ trên mỗi đơn vị khối lượng của một cơ thể sinh học khi cơ thể sinh học đó tiếp xúc với
trường điện từ. Giá trị SAR tỷ lệ với bình phương biên độ cường độ điện trường bức xạ:
2
W / KgSAR E
(1)
Trong đó: và tương ứng là độ dẫn điện ( / )S m và khối lượng riêng ( / 3)Kg m
của cơ thể sinh học; E là cường độ điện trường tại điểm đo ( /V m ).
Đối với thiết bị vô tuyến thông thường (có 1 ăng ten phát trên mỗi băng tần hoạt động),
giá trị SAR của một thiết bị chỉ phụ thuộc vào cường độ điện trường mà không phụ thuộc
vào giá trị pha của điện trường tại điểm đo. Kỹ thuật đo và trình tự đo xác định giá trị SAR
được chỉ ra tương đối rõ ràng và được quy chuẩn trong các chuẩn đo SAR quốc tế [3-5].
Tuy nhiên, đối với thiết bị có nhiều ăng ten phát đồng thời trên cùng một tần số (chẳng hạn
như trong kỹ thuật MIMO – nhiều đầu vào nhiều đầu ra hoặc kỹ thuật ăng ten mạng
pha), giá trị cường độ điện trường tại điểm đo phụ thuộc vào giá trị cường độ điện
trường bức xạ bởi từng ăng ten và giá trị pha tương đối của chúng. Lý do là vì cường độ
điện trường tổng hợp tại điểm đo là tổng véc tơ các cường độ điện trường bức xạ của mỗi
nguồn riêng lẻ. Vì thế, việc đo SAR của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát trở nên phức
tạp và tốn thời gian hơn.
Các tiêu chuẩn quốc tế IEEE 1528 [3], IEC/TR 62630 [4], IEC:62209-2 [5] hiện nay
khuyến cáo một số kỹ thuật đo SAR cơ bản đối với các thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten
phát. Các kỹ thuật này cũng được thực hiện trong các nghiên cứu khác [6-8]. Tuy nhiên,
các kỹ thuật hiện tại nêu trên tồn tại một số hạn chế như: 1) số lượng phép đo lớn dẫn đến
Nghiên cứu khoa học công nghệ
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 55, 06 - 2018 45
mất nhiều thời gian đo, thậm chí không thể thực hiện khi số lượng ăng ten phát tăng nhiều
[3-5]; 2) giá trị SAR xác định có thể sai lệch rất nhiều so với SAR thực tế [6-8]. Để giải
quyết vấn đề trên, nhóm nghiên cứu đã đề xuất 3 kỹ thuật ước lượng cho phép giảm số
lượng phép đo cần thiết mà vẫn đảm bảo xác định chính xác giá trị SAR của thiết bị vô
tuyến nhiều ăng ten phát [9-11]. Trong cả 3 kỹ thuật ước lượng được đề xuất, một số phân
tích lý thuyết và kiểm chứng cơ bản với mô hình phantom phẳng đã được thực hiện (xem
hình 1) tại tần số 2.45GHz theo tiêu chuẩn IEEE 1528 [3]. Kết quả kiểm chứng ban đầu
khẳng định rằng sai số giữa giá trị SAR ước lượng và giá trị đo thực tế là khá nhỏ.
Hình 1. Mô hình kích thước phantom phẳng.
Tuy nhiên, trong cả 3 kỹ thuật ước lượng này, một số giả thiết đơn giản hóa đã được áp
dụng nhằm xây dựng mô hình tính toán cường độ điện trường tại điểm đo.Chẳng hạn,
thành phần điện trường phản xạ bên trong mô hình đo (phantom) đã được bỏ qua. Giả thiết
này tương đối hợp lý, vì cường độ điện trường suy hao rất nhanh bên trong chất lỏng điện
môi, và thành phần phản xạ là khá nhỏ. Tuy nhiên, trong một số trường hợp, khi số lượng
ăng ten là lớn, hoặc khi kích thước phantom nhỏ, hoặc ở tần số thấp (tương ứng suy hao
trong môi trường điện môi sẽ ít hơn), các thành phần phản xạ bên trong bề mặt phantom có
thể ảnh hưởng tới sai số ước lượng. Thực tế, trong một số kết quả thực nghiệm chỉ ra rằng
sai số giữa kết quả đo đạc thực nghiệm và ước lượng SAR là dưới 1% cho trường hợp 2
ăng ten phát; và sai số lớn nhất là 5.6% cho trường hợp 3 ăng ten phát [12]. Rõ ràng khi số
lượng nguồn phát tăng từ 2 lên 3 thì sai số ước lượng tăng đáng kể.
Vì vậy, để tiếp tục phát triển và hoàn thiện các kỹ thuật ước lượng trong bài báo này,
chúng tôi tập trung nghiên cứu đánh giá sai số ước lượng SAR của thiết bị vô tuyến có
nhiều ăng ten phát khi xét tới các yếu tố ảnh hưởng như: kích thước phantom thay đổi; tần
số phát thay đổi.
2. MÔ HÌNH TÍNH TOÁN VÀ THỦ TỤC XÁC ĐỊNH SAR
2.1. Mô hình tính toán
Chúng tôi khảo sát tính toán với mô hình: Thiết bị đo kiểm DUT (DUT: Devices Under
Test) là 2 ăng ten chấn tử nửa sóng phát tại tần số 1.9GHz và 2.45GHz (đây là các tần
số sử dụng phổ biến cho các thiết bị vô tuyến); 2 loại phantom phẳng có kích thước dài,
rộng, sâu ( W )L D tương ứng: (180 120 150) mm và (90 80 35) mm ; các kích
thước này phù hợp với cơ thể sinh học trưởng thành và sơ sinh theo tiêu chuẩn IEEE
1528[3].
Từ đó hình thành 4 mô hình khảo sát, tính toán cụ thể là:
+ Mô hình 1: 2.45f GHz và kích thước phantom:
( W ) (180 120 150)L D mm
Kỹ thuật điều khiển & Điện tử
C. V. Hải, L. Đ. Thành, N. H. Hoàng, “Đánh giá một số yếu tố nhiều ăng ten phát.” 46
+ Mô hình 2: 2.45f GHz và kích thước phantom:
( W ) (90 80 35)L D mm
+ Mô hình 3: 1.9f GHz và kích thước phantom:
( W ) (180 120 150)L D mm
+ Mô hình 4: 1.9f GHz và kích thước phantom: ( W ) (90 80 35)L D mm
Thông số của ăng ten và các thông số kích thước phantom phẳng, độ dẫn điện, hằng số
điện môi, mật độ khối lượng riêng của chất lỏng phantom theo tiêu chuẩn IEEE 1528 [3]
(xem trong bảng 1, bảng 2). Mặt phẳng đo nằm trên mặt phẳng Y1, cách DUT là 10mm,
các điểm đo cách đều nhau 4mm (xem hình 2).
Bảng 1. Thông số của ăng ten.
Tham số Giá trị
Bán kính của ăng ten 1.8 mm
Chiều dài tổng thể ăng ten / 2
Khoảng cách giữa 2 chấn tử liền kề / 4
Khoảng cách giữa chất lỏng và DUT 10 mm
Bảng 2. Thông số kích thước của phantom phẳng.
Tham số Giá trị
Kích thước phantom phẳng: ( WL D )
Loại 1: (180 120 150)mm
Loại 2: (90 80 35)mm
Vỏ phantom phẳng 2 mm
Hằng số điện môi tương đối của chất lỏng ( r )
Phantom loại 1: 39.2
Phantom loại 2: 36
Độ dẫn điện chất lỏng ( )
Phantom loại 1: 1.8 /S m
Phantom loại 2: 4.66 /S m
Khối lượng riêng chất lỏng phantom ( ) 31000 /Kg m
Thực tế hiện nay trên thế giới, các phòng đo SAR theo chuẩn quốc tế là chưa phổ
biến, chỉ được trang bị tại một số phòng thí nghiệm chuyên dụng nên việc tiếp cận và
tiến hành các thủ tục đo thực tế trong phòng đo là rất khó khăn. Do vậy, số liệu kiểm
chứng và tính toán trong bài báo này được lấy từ chương trình mô phỏng ăng ten chuyên
dụng CST STUDIO SUITE (Computer Simulation Technology) để thay thế cho dữ liệu
đo thực tế [13].
2.2. Thủ tục xác định giá trị SAR
2.2.1. Thủ tục đo SAR cơ bản
Đối với việc đo SAR theo các chuẩn quốc tế IEEE1528 [3] hay IEC62209 [4,5], thủ tục
đo SAR phải thực hiện qua 2 bước đo cơ bản: i) đo trong một mặt phẳng xác định (gọi là
area scan), và ii) đo trong một không gian hình lập phương xung quanh điểm có giá trị
SAR lớn nhất trong mặt phẳng đo ở bước i (được gọi là zoom scan). Giá trị SAR lớn nhất
cần được xác định là giá trị SAR trung bình theo không gian (spatial-averaged SAR),
được tính là trung bình SAR của các điểm đo trong bước ii (xem hình 2).
Nghiên cứu khoa học công nghệ
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 55, 06 - 2018 47
Hình 2. Biểu diễn 2 bước đo xác định SAR.
2.2.2. Quy trình xác định SAR theo kỹ thuật ước lượng
Hình 3. Quy trình đo E (hay SAR) của thiết bị vô tuyến có 2 ăng ten phát
sử dụng 3 kỹ thuật ước lượng [9-11].
48
chúng tôi ti
hình 3)
lượng SAR lớn nhất nhanh chóng đ
Trong quy trình
probes) và đ
tin v
pha và biên đ
ứng với sai pha từ 0
số
kỹ thuật
SAR
ước l
360
ứng tại mỗi điểm đo sẽ xác định đ
trên m
Trên cơ s
ề bi
Dữ liệu đo c
ước l
Để đánh giá sai số giữa kết quả
est
ư
Hình 4 bi
0
ư
tương
ợng đ
với b
ặt phẳng Y1 cho từng tr
C. V. H
để xác địn
ên đ
ợng.
ước l
ư
ở phân tích lý thuyết đ
ến h
ầu d
ộ điện tr
ộ của điện tr
ược tính theo công thức:
ểu diễn các giá trị
ớc pha l
ải, L. Đ. Th
ành các bư
đo trên s
ò véc t
ường độ điện tr
ượng n
ứng với SAR
4a) Mô hình 1; 4b) Mô hình 2; 4c) Mô hình 3; 4d) Mô hình 4.
h các tham s
à 1
ường tại điểm đo, trong khi đó đầu d
0 đến 360
êu trên, chúng tôi ký hi
0
ử dụng 2 loại đầu d
ơ [15
ư
Sai so
trên cùng m
Hình 4.
ành, N. H. Hoàng
ớc đo theo quy tr
]
ờng.
ư
3.
ố
(vector probes). Đ
ư
0 (trong đó bư
ớc l
K
ư
ường hợp sai pha cụ thể v
ước l
ờng (hay SAR) v
ượng lớn nhất theo quy tr
ẾT QUẢ V
ớc l
ư
Bi
ã đư
ư
ước l
100 ( )
ư
ột mặt phẳng đo Y1 (biết rằng, với mỗi sai pha t
ợc 1 giá trị SAR, qua đó xá
ểu diễn giá trị SAR lớn nhất:
ợc tr
ượng cho từng kỹ thuật đề xuất. Từ đó giá trị
ợc xác định t
ư
ợng SAR lớn nhất t
, “
ình
ớc pha l
ợng SAR lớn nhất v
SAR SAR
Đánh giá m
ình bày chi ti
đo SAR c
ò đi
ệu:
est sim
À TH
ện tr
ầu d
à d
SAR
ương
ư
ò vô h
ữ liệu
à 15
ẢO LUẬN
ờng l
sim
à g
ột số yếu tố
ết trong các nghi
ủa thiết bị có 2 ăng ten phát (xem
ứng với sai pha
à đ
ư
ò véc t
ư
0) s
tương
ương
ọi chung l
K
ầu d
ớng chỉ có thể cung cấp thông
ớc l
ẽ đ
à giá tr
ình trên hình 3. Khi
ỹ thuật điều khiển & Điện tử
ơ cung c
ư
ược sử dụng để so sánh sai
ứng với SAR đo thực tế;
0
ứng tại sai pha từ 0
c đ
ò vô h
ợng SAR lớn
0
ịnh đ
à SAR
nhi
ị đo thực tế cho cả 3
ều ăng ten phát
ướng
ấp thông tin cả về
ược SAR lớn nhất
ên c
max).
ứu [9
max
[14
nh
c
] (scalar
ất t
đó,
-11],
ư
ụ thể
ương
sai s
0 đ
ương
.”
ớc
.
ố
(2)
ến
Nghiên c
Tạp chí Nghi
điểm đánh dấu chấm đen l
đến 360
thấy các đ
khá tương đ
đen sai l
hiện sai s
đồng, sai lệch lớn nhất giữa các kỹ thuật
mô hình 3 so v
0.7% (0.6% so v
Từ các giá trị SARmax n
Hình 4a, 4b, 4c, 4d l
Hình 5 th
Mô hình 1 (hình 5a), sai s
Mô hình 2 (hình 5b), sai s
Mô hình 3 (hình 5c), sai s
Mô hình 4 (hình 5d), sai s
Từ kết quả tr
+ V
+ Khi kích thư
0
ới cả 3 kỹ thuật
ứu khoa học công nghệ
với b
ư
ệch lớn nhất so với đ
ố ư
ên c
ờng bi
ồng. Các điểm đen phân bố tr
ớc l
Hình 5.
ể hiện sai số
ứu KH&CN
ước pha 15
ư
5a)Mô hình 1; 5b) Mô hình 2; 5c) Mô hình 3; 5d) Mô hình 4.
ên hình 5, n
ới mô h
ới 1.3%, 1.5% so với 2.2%).
ểu diễn giá trị
ợng l
ớc phantom giảm, tần số phát không đổi (mô h
à khá l
Sai s
ư
ình 4) thì sai s
0.
ần l
ố
ư
ớc l
quân s
ày, d
à giá tr
ư
ớn.
ước l
ớc l
ố
ố
ố
ố
hận thấy sai số
ư
ợt t
ường biểu diễn
ượng SAR của 4 mô h
ước l
ước l
ước l
ước l
ợng đề xuất, đ
ự,
ễ d
ị SARmax tính toán từ dữ liệu mô phỏng tại sai pha từ 0
ương
ước l
ượng SAR t
Số
àng xác đ
ượng SAR lớn nhất nhỏ h
ượng SAR lớn nhất khoảng 1.3%.
ượng SAR lớn nhất gần bằng 1.5%.
ượng SAR lớn nhất khoảng 2.2%.
ố ư
55
ứng với 4 mô h
ượng SAR lớn nhất cho cả 3 kỹ thuật
ư
ớc l
, 06
ên hình v
ương
ước l
ư
ớc l
ư
- 20
ịnh
ước l
ờng biểu diễn sai số
ượng ch
ợng lớn nhất có tăng nh
18
ứng tại sai pha kiểm chứng:
ượng thay đổi nh
đư
ẽ cho 4 mô h
ượng SAR l
ình tính toán, c
ợc giá trị SARmax lớn nhất. Những
ình kh
ưa đến 1%.
ảo sát, quan sát h
ơn 0.6%.
ình là r
à trên hình 4d,
ư sau:
ư
ình
ụ thể:
ớc l
1 so v
ưng không nhi
ất khác nhau. Điểm
ượng l
ới mô h
ư
à khá tương
ình 4, nh
ớc l
điều n
ư
ình 2;
ều d
ợng l
ày th
ư
49
0
ận
à
ể
ới
Kỹ thuật điều khiển & Điện tử
C. V. Hải, L. Đ. Thành, N. H. Hoàng, “Đánh giá một số yếu tố nhiều ăng ten phát.” 50
+ Khi tần số phát giảm, kích thước phantom không đổi (mô hình 1 so với mô hình 3;
mô hình 2 so với mô hình 4) thì sai số ước lượng lớn nhất tăng khá rõ khoảng 1% (0.6% so
với 1.5%, 1.3% so với 2.2%).
+ Khi cả tần số phát và kích thước phantom giảm (mô hình 1 so với mô hình 4) thì sai
số ước lượng lớn nhất tăng cao gần 2% (0.6% so với 2.2%).
4. KẾT LUẬN
Trong bài báo, chúng tôi đã sử dụng 3 kỹ thuật ước lượng để xác định giá trị SAR lớn
nhất của thiết bị vô tuyến có 2 ăng ten phát. Với 4 mô hình kiểm chứng cho thấy, khi kích
thước phantom hay tần số phát thay đổi thì sai số ước lượng lớn nhất chỉ khoảng 2.2%. Sai
số lớn nhất này nằm trong giới hạn tiêu chuẩn đo lường quốc tế, điều này khẳng định tính
chính xác của các kỹ thuật ước lượng đề xuất. Tuy nhiên, khi kích thước phantom giảm
hoặc tần số phát giảm thì sai số ước lượng đều gia tăng (sai lệch lớn nhất gần 2%). Biết
rằng, các dữ liệu kiểm chứng được lấy từ chương trình mô phỏng, trong các phép đo thực
tế sai số có thể lớn hơn nhiều vì chịu ảnh hưởng của rất nhiều yếu tố bên ngoài. Với 3 kỹ
thuật ước lượng được đề cập, nghiên cứu trong phạm vi bài báo này, khi ứng dụng đo SAR
cho thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát trong thực tế cần chú ý đến từng mô hình đo cụ
thể. Các kỹ thuật ước lượng trên có thể cho sai số rất lớn khi kích thước phantom hay tần
số hoạt động tại thông số nào đó, vì vậy cần được phát triển, kiểm chứng ở các nghiên cứu
tiếp theo.
TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1]. ICNIRP, "Guidelines for limiting exposure to time-varying electric, magnetic and
electromagnetic fields (up to 300 GHz)," Health Phys., vol. 74, pp. 494-522, 1998.
[2]. FCC OET Bulletin 65, "Evaluating Compliance with FCC Guidelines for Human
Exposure to Radiofrequency Electromagnetic Fields," Ed. 97-01 ,.
[3]. IEEE 1528, "IEEE Recommended Practice for Determining the Peak Spatial-Average
Specific Absorption Rate (SAR) in the Human Head from Wireless Communications
Devices: Measurement Techniques," Ed.2013.
[4]. IEC/TR 62630, "Guidance for Evaluating Exposure from Multiple Electromagnetic
Sources," Ed. 1.0, 2010.
[5]. IEC 62209-2, "Human exposure to radio frequency fields from hand-held and body-
mounted wireless communication devices: Human models, instrumentation, and
procedures - Part 2: Procedure to determine the specific absorption rate (SAR) for
wireless communication devices used ," Ed. 1.0, 2010.
[6]. K.-C. Chim, K. C. L. Chan, and R. D. Murch, "Investigating The Impact of Smart
Antennas on SAR," IEEE Trans. Antennas Propag., vol. 52, no. 5, pp. 1370-1374,
May 2004.
[7]. J.-O. Mattsson, and L.P. De Leon, "SAR Evaluation of A Multi-Antenna System," in
Proc. IEEE Antennas and Propagation Int. Symp., Honolulu, Jun. 2007, pp. 1373-
1376.
[8]. T. Iyama and T. Onishi, "Maximum Average SAR Measurement Procedure for Multi-
Antenna Transmitters," IEICE Trans. Comm., vol. E93-B, no. 7, pp. 1821-1825, Jul
2007.
[9]. D. T. Le, L. Hamada, and S. Watanabe, "Measurement Procedure to Determine SAR
of Multiple Antenna Transmitters Using Scalar Electric Field Probes," in Proc. IEEE
The International Conference on Advanced Technologies for Communications 2014
Nghiên cứu khoa học công nghệ
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 55, 06 - 2018 51
(ATC'14)., Ha Noi, Oct 2014.
[10]. D. T. Le, L. Hamada, S. Watanabe, and T. Onishi, "An Estimation Method for Vector
Probes Used in Determination SAR of Multiple-Antenna Transmission Systems," in
Proc. IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility., Tokyo, May
2014.
[11]. D.T.Le, and V.H.Chu, "An Analysis of Vector Estimation for Uncertainty Reduction
in Evaluating the Specific Absorption Rate of Multiple Transmitting Antenna
Devices," in Proc. IEEE The NAFOSTED Conference on Information and Computer
Science, Ho Chi Minh, Viet Nam, Sept. 2015.
[12]. V.H.Chu, H.H.Nguyen and D.T.Le, "Analyzing the Estimation Errors in Evaluating
the Specific Absorption Rate of Multiple-Antenna Devices for Different Numbers of
Antennas," in Vietnam Japan Microwave 2017 Conference, Ha Noi, June 13-14th,
2017.
[13]. https://www.cst.com/products/csts2,.
[14]. DASY52 by SPEAG,
[15]. ART-MAN by ART-Fi,
ABSTRACT
ESTIMATION OF PARAMETERS CAUSING UNCERTAINTIES
IN SAR EVALUATION FOR MULTI-ANTENNA TRANSMITTING DEVICES
In this paper, parameters affecting the uncertainty when using evaluation
technique for specific absorption rate (SAR) determination of multi-antenna
transmitting devices are estimated. The main factors which are considered include:
phantom size and operating frequency. It is pointed out, by simulated validations for
featured flat phantom size schemes and exposure source at common operating
frequencies that uncertainty of SAR evaluation increases when phantom size or
operating frequency decreases.
Keywords: Specific Absorption Rate - SAR; Multiple Antennas Radio Device; Field Probes; Relative Phase.
Nhận bài ngày 11 tháng 3 năm 2018
Hoàn thiện ngày 03 tháng 4 năm 2018
Chấp nhận đăng ngày 08 tháng 6 năm 2018
Địa chỉ: Học viện Kỹ thuật quân sự.
* Email: chuhait1@gmail.com.
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- 05_hai_9213_2150414.pdf