Tài liệu Bài giảng Pin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử: Quantum well solar cell
pin mặt trời sử dụng công nghệ
giếng lượng tử
Nguyễn Tiến Long
k12 CNKHTNĐHQGHN
Outline
• Nguyên lí
• Ch t oế ạ
• u thƯ ế
• ng d ngỨ ụ
Nguyên lí
• C u trúc gi ng l ng t (QW)ấ ế ượ ử
• Nguyên li u ch t o QWệ ế ạ
• Phân lo i QWạ
• Hô l ng t GaAs/GaAsAĺ ượ ử
outline
• History-l ch s hình thànhị ử
• Defination-đ nh nghĩaị
• Properties-tính ch tấ
• Principle-nguyên lí,gi i thíchả
• Classification-phân lo iạ
• Application- ng d ngứ ụ
C u trúc QW & MQWấ
• B(L’) // A( L ) // B( L’ ) QW
• ….. B/A/B/A/B/A/B/A… MQW
• Kiên th c v gian đoan vung va s kiêm ́ ứ ề ́ ̣ ̀ ̀ ự ̉
soat no đong vai tro quyêt đinh trong viêc ́ ́ ́ ̀ ́ ̣ ̣
chê tao ́ ̣
Q = (∆Ec) /(∆Eg)
(Dingle)
outline
• History-l ch s hình thànhị ử
• Defination-đ nh nghĩaị
• Properties-tính ch tấ
• Principle-nguyên lí,gi i thíchả
• Classification-phân lo iạ
• Application- ng d ngứ ụ
Nguyên li u làm QWệ
• Chât l ng cua giao diên gi a hai vât liêu ́ ượ ̉ ̣ ữ ̣ ̣
khac ...
21 trang |
Chia sẻ: hunglv | Lượt xem: 1665 | Lượt tải: 0
Bạn đang xem trước 20 trang mẫu tài liệu Bài giảng Pin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử, để tải tài liệu gốc về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Quantum well solar cell
pin mặt trời sử dụng công nghệ
giếng lượng tử
Nguyễn Tiến Long
k12 CNKHTNĐHQGHN
Outline
• Nguyên lí
• Ch t oế ạ
• u thƯ ế
• ng d ngỨ ụ
Nguyên lí
• C u trúc gi ng l ng t (QW)ấ ế ượ ử
• Nguyên li u ch t o QWệ ế ạ
• Phân lo i QWạ
• Hô l ng t GaAs/GaAsAĺ ượ ử
outline
• History-l ch s hình thànhị ử
• Defination-đ nh nghĩaị
• Properties-tính ch tấ
• Principle-nguyên lí,gi i thíchả
• Classification-phân lo iạ
• Application- ng d ngứ ụ
C u trúc QW & MQWấ
• B(L’) // A( L ) // B( L’ ) QW
• ….. B/A/B/A/B/A/B/A… MQW
• Kiên th c v gian đoan vung va s kiêm ́ ứ ề ́ ̣ ̀ ̀ ự ̉
soat no đong vai tro quyêt đinh trong viêc ́ ́ ́ ̀ ́ ̣ ̣
chê tao ́ ̣
Q = (∆Ec) /(∆Eg)
(Dingle)
outline
• History-l ch s hình thànhị ử
• Defination-đ nh nghĩaị
• Properties-tính ch tấ
• Principle-nguyên lí,gi i thíchả
• Classification-phân lo iạ
• Application- ng d ngứ ụ
Nguyên li u làm QWệ
• Chât l ng cua giao diên gi a hai vât liêu ́ ượ ̉ ̣ ữ ̣ ̣
khac biêt A va B́ ̣ ̀ đ c đánh giá quan ượ
tr ng nh t qua h ng s m ngọ ấ ằ ố ạ
• Tăng tr ng gia đinh hinh rât cân đê đat ưở ̉ ̣ ̀ ́ ̀ ̉ ̣
đ c chât l ng cao cua chuyên tiêp di ượ ́ ượ ̉ ̉ ́ ̣
thê ̉
• QW GaAs/GaAlAs va InGaAs/InP quan ̀
trong ̣ nh t ấ vê măt công nghề ̣ ̣
outline
• History-l ch s hình thànhị ử
• Defination-đ nh nghĩaị
• Properties-tính ch tấ
• Principle-nguyên lí,gi i thíchả
• Classification-phân lo iạ
• Application- ng d ngứ ụ
QW
GaAs/GaAsAl
1 2 3 4 5 6 7 8 9
x 105
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
L1<L2
cuong do dien truong E(V/m)
he
so
ha
p
th
u
ph
i t
u
ye
n
L1
L2S phu thuôc cua hê sô hâp thu phi tuyên songự ̣ ̣ ̉ ̣ ́ ́ ̣ ́ ́
điên t vao c ng đô điên tr ng ̣ ừ ̀ ườ ̣ ̣ ườ
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
x 10-8
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
do rong ho luong tu L(m)
he
so
ha
p
th
u
ph
i t
u
ye
n
dothi 2
T=280K
T=300K
Đô thi biêu diên s phu thuôc cua hê sô hâp thu phi ̀ ̣ ̉ ̃ ự ̣ ̣ ̉ ̣ ́ ́ ̣
tuyên song điên t vao ́ ́ ̣ ừ ̀ đ r ngộ ộ L cua hô l ng t .̉ ́ ượ ử
250 300 350 400 450 500
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
E1>E2
nhiet do T
he
so
ha
p
th
u
ph
i t
u
ye
n
dothi 3
E1
E2
S phu thuôc cua hê sô hâp thu ự ̣ ̣ ̉ ̣ ́ ́ ̣
song điên t vao nhiêt đô T́ ̣ ừ ̀ ̣ ̣
u đi mƯ ể
+) Có th thay đ i gianh gi i c a gi i ể ổ ớ ủ ả
h p th và h p th đ c d i r ng h n ấ ụ ấ ụ ượ ả ộ ơ
+ ) Không g y sai h ng,tr t kh p khi có ấ ỏ ậ ớ
kho ng t 65 gi ng th đ c t o ra ả ử ế ế ượ ạ
+) Kh năng thay đ i Eg d n t i hi u ả ổ ẫ ớ ệ
su t n i ti p ,ti p đôi s cao h nấ ố ế ế ẽ ơ
C i ti n pin b ng ch n t phân b ả ế ằ ấ ử ố
ph n quang Braggả
400 500 600 700 800 900 1000
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
In
te
rn
al
q
ua
nt
um
e
ffi
ci
en
cy
(
%
)
Wavelength (nm)
R
ef
le
ct
iv
ity
(
%
)
In
te
rn
al
q
ua
nt
um
e
ffi
ci
en
cy
(
%
)
R
ef
le
ct
iv
ity
(
%
)
DBR IQE
NonDBR IQE
In
te
rn
al
q
ua
nt
um
e
ffi
ci
en
cy
(
%
)
l t ( )
DBR reflectivity
R
ef
le
ct
iv
ity
(
%
)
tăng hi u su t h p thệ ấ ấ ụ
Ánh sáng
Tăng dòng quang đi nệ
Không h gây c n tr ề ả ở
dòng
Distributed Bragg Reflectors
[3] D.C. Johnson et al. Solar Energy
Materials and Solar Cells, 2005
Gi i thíchả
M c đích c a DBR là h p ụ ủ ấ
th các photon khi chúng đi ụ
qua MQW l n th hai ,ho c ầ ứ ặ
giam c m nó trong MQW,và ầ
cũng h p th chúng tr c ti pấ ụ ự ế
MQW
DBR
MQW
DBR
Các photon b h p th l n ị ấ ụ ầ
th hai s làm gi m dòng ứ ẽ ả
t i trong pinố
Photon tái x d ng làm ử ụ
hi u su t pin lên t i ệ ấ ớ
30,8% (Barham )
Th m nh c a SB-QWSCế ạ ủ
+ Công su t dòng pin đ c nhân lên g n g p ấ ượ ầ ấ
đôi
+ D i h p th r ng, làm vi c n đ nh trong ả ấ ụ ộ ệ ổ ị
nhi u đi u ki n bi n đ i ánh sáng m t tr iề ề ệ ế ổ ặ ờ
+ kích c vài đ mini mét , d s n xu tỡ ộ ễ ả ấ
Ứng dụng
+ Công trình tích hợp năng lượng quang điện
+ Smart Windows
+ ……..
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- sieu_dan_nhiet_do_thap_2688_7009.pdf